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KA100O015E-BJTT
数据表
KA
1
00
O
0
15
ê - B 牛逼
T
1.0版
MCP内存
5.订购信息
三星
MCP存储器（ 3chips ）
设备类型
1
： NAND + SDRAM + SDRAM
NOR闪存的密度，电压，
组织
00
：无
NAND密度，电压
组织
O
： 4G NAND ， 1.8V / 1.8 X16
UtRAM密度，电压，组织
0
：无
移动DDR速度
T
：为5ns （ 200Mhz的@ CL3 ）
移动DDR速度
T
：为5ns （ 200Mhz的@ CL3 ）
NAND闪存速度
J
： 42ns
封装（焊盘涂层+无铅）
B
： FBGA （ HF ， LF OSP ）
VERSION
E
：第6代
DRAM接口，密度，电压，组织
15:
MDDR * 2 ， 2GB * 2 ， 1.8V / 1.8V ， X32 （ 2 / CS ， 2CK ）
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