【1.0版， 2010年7月KA100O015E-BJTTMCP规格4GB （ 256M ×16） N】,IC型号KA100O015E-BJTT,KA100O015E-BJTT PDF资料,KA100O015E-BJTT经销商,ic,电子元器件-51电子网

1.0版， 2010年7月

KA100O015E-BJTT

MCP规格

4GB （ 256M ×16） NAND闪存

+的4Gb （ 64M X32 + X32 64M ）2 / CS ， 2CKE DDP移动DDR SDRAM

数据表

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KA100O015E-BJTT

数据表

历史

草案日期

2010年6月10日

1.0版

MCP内存

修订历史

版本号

0.0

备注

Preliminay

编者

H.J.Min

首次发行。

- 的4Gb NAND闪存的V- die_版0.0

- DDP的4Gb移动DDR C- die_Ver 0.0

- 定型

<NAND Flash>_Ver 1.1

修订1.0V

1.第一章2.2推荐工作条件修订。

修订1.1V

1.第一章2.8读/编程/擦除特性参数

reviesed 。

<Mobile DDR SDRAM>_Ver 1.0

- 更正勘误。

- 修订直流特性。

1.0

2010年7月28日

最终科幻

J.S.Ahn

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KA100O015E-BJTT

数据表

1.0版

MCP内存

1.产品特点

工作温度： -25 ° C 85°C

包装： 137球FBGA类型 - 10.5 ×13× 1.2mmt ， 0.8mm间距

电源

- 1.8V设备： 1.7V 1.95V

组织

- 存储单元阵列：

（ 256M + 8M ）× 16位的4Gb的

（ 512M + 16M ）× 16位的8G的DDP

- 数据寄存器：（ 2K + 64 ）× 16位

自动编程和擦除

- 页编程：（ 2K + 64 ）字

- 块擦除：（ 128K + 4K ）字

页面读取操作

- 页面大小：（ 2K + 64 ）字

- 随机读取：在60μs （最大）（ TBD）

- 串行访问： 42ns （最小值）

快速写周期时间

- 页编程时间： 420μs （典型值）（ TBD）

- 块擦除时间： 3毫秒（典型值）（ TBD）

命令/地址/数据多路复用I / O端口

硬件数据保护

- 编程/擦除锁定在电源转换

可靠的CMOS浮栅技术

-Endurance ：待定编程/擦除周期

有4位/ 256Word ECC的X16

命令式操作

独特的ID为版权保护

VDD / VDDQ = 1.8V / 1.8V

双数据速率体系结构;每个时钟周期2的数据传输。

双向数据选通（ DQS ）。

四家银行的操作。

差分时钟输入（ CK和CK ）。

MRS循环地址重点项目。

- CAS延迟（ 3 ）

- 突发长度（ 2 ， 4 ， 8 ， 16 ）

- 突发类型（顺序&交错）

EMRS周期地址重点项目。

- 部分阵列自刷新（全， 1/2，1/4阵列）

- 输出驱动强度控制（全， 1/2，1/4 ， 1/8 ， 3/4 ， 3/8 ， 5/8 ， 7/8 ）

内部温度补偿自刷新。

除了数据& DM所有输入进行采样的正边沿

系统时钟（CK）。

数据选通信号， DM为屏蔽的两端数据的I / O事务。

边沿对齐的数据输出，中心对齐的数据输入。

无DLL ; CK到DQS不同步。

DM只写屏蔽。

自动刷新占空比。

- 7.8us

时钟停止功能

2 / CS ， 2CKE

工作频率

DDR400

速度@ CL3

注意：

1 ） CAS延时

200MHz

地址配置

组织

64Mx32

/ CS

CS0

CS1

CKE

CKE0

CKE1

银行

BA0,BA1

ROW

A0 - A13

COLUMN

A0 - A9

- DM被内部匹配DQ和DQS相同。

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KA100O015E-BJTT

数据表

1.0版

MCP内存

2.概述

该KA100O015E是一个多芯片封装内存，结合4G位NAND闪存和4G位DDP同步高数据速率动态

内存。

NAND单元为固态应用市场中最具成本效益的解决方案。一个程序可以运行在典型的420μs （ TBD）进行

的（ 2K + 64 ）字页面和擦除操作可在（ 128K + 4K ）字块上典型的3ms （TBD）来执行。在数据寄存器中的数据可以被读

出每字42ns周期时间。在I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。片上写入控制器

所有的自动编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和数据的裕度。即使将写

养系统可以采取待定方案的设备的扩展的可靠性的优点/提供的ECC（纠错码）与真正的擦除周期

时间映射出的算法。该装置是用于大的非易失性存储器的应用，如固态的文件存储和其它便携式的最佳解决方案

应用程序需要非易失性。

在4G位DDP移动DDR ，同步设计，使配合使用系统时钟的精确控制的设备。工作频率范围内，亲

可编程脉冲串长度和可编程延迟允许在同一设备是用于各种高带宽是有用的，高性能存储器系

统的应用程序。

该KA100O015E适用于移动通信系统的数据存储器的使用，以减少不仅安装面积，而且功耗。这

设备处于137球FBGA类型可用。

-4-

KA100O015E-BJTT

数据表

DNU

CKE2d

A4d

A5d

A8d

A11d

/ RASd

/ CASD

/CS1d

BA1d

A2d

VSSD

IO1n

IO8n

DNU

/ REN

/ WPN

A7d

CKE1d

/CS2d

DQ15d

DQ20d

BA0d

A10d

A3d

A13d

IO2n

IO9n

CLEN

ALEN

A9d

DQ18d

DQ17d

DQ16d

DQ21d

DQ14d

A0d

DQ0d

IO10n

IO11n

VCCN

VSSN

DQ25d

DQS3d

DQ19d

DQS1d

DQ13d

DQ11d

DQ7d

DQ1d

IO3n

VCCN

IO12n

/中央

R / Bn的

DQ27d

DQ22d

DQ24d

DM1d

DQ12d

DQ10d

DQ8d

DQ2d

IO5n

IO6n

VSSN

/文

DQ31d

DQ29d

DM3d

DQ23d

DQ9d

DQS2d

DQS0d

DQ6d

DQ3d

IO14n

IO13n

IO4n

VDDD

DQ30d

DQ28d

DQ26d

DM2d

CKD

/ CKD

DM0d

DQ4d

DQ5d

IO7n

IO15n

VDDD

1.0版

MCP内存

3.引脚配置

VSSD

VDDD

A6d

A12d

VDDD

VSSD

/ WED

A1d

VDDD

IO0n

DNU

VSSD

VDDQD

VSSQd

VDDQD

VSSQd

VDDQD

VSSD

VSSQd

VDDQD

VSSQd

VDDQD

VSSD

DNU

VSSQd

VDDQD

VSSQd

VDDQD

VSSQd

VDDD

VDDQD

VSSQd

VDDQD

VSSQd

DNU

137 FBGA ：顶视图（球下）

NAND

移动DRAM

动力

地

NC / DNU

-5-

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