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KA100O015E-BJTT
NAND闪存技术说明
（续）
数据表
1.0版
MCP内存
在写或读操作2.3错误
在其寿命时间，附加的无效块可以开发与NAND闪存。参阅资格报告的实际数据。块替换
在擦除或编程错误应该做的。
失效模式
写
读
清除故障
程序故障
最多四个位失败
检测及对策序列
更换擦除-->座后状态读
更换计划-->座后状态读
验证ECC -> ECC校正
ECC
：纠错码--> RS码或BCH码等。
例） 4位校正& 512字节
注意：
重复的页面读取，而不擦除在同一个街区的操作可能会导致位错误，这可能是随时间积累的，超越ECC的覆盖面。软件
方案如缓存到内存中，建议。
程序流程图
开始
写80H
写地址
写数据
写10H
读状态寄存器
I / O 6 = 1 ？
或R / B = 1 ？
是的
No
I / O 0 = 0 ？
是的
项目已完成
No
程序错误
*
*
如果程序运行产生错误，映射出
包括在网页中的错误，并复制该块中的
目标数据到另一个块。
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