位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第192页 > K4B1G0446G-BCH9 > K4B1G0446G-BCH9 PDF资料 > K4B1G0446G-BCH9 PDF资料1第39页
K4B1G0446G
K4B1G0846G
数据表
符号
tRFC
tREFI
0
°C ≤
T
例
≤
85°C
85
° ℃下
T
例
≤
95°C
1Gb
110
7.8
3.9
2Gb
160
7.8
3.9
4Gb
300
7.8
3.9
修订版1.01
DDR3 SDRAM
通过器件密度13.2刷新参数
[表42]刷新参数由器件密度
参数
所有银行刷新主动/ CMD刷新时间
平均周期刷新间隔
8Gb
350
7.8
3.9
单位
ns
s
s
1
记
记
:
1.用户应参考DRAM供应商的数据手册和/或DIMM SPD ，以确定是否DDR3 SDRAM器件支持中提到的以下选项和要求
该材料。
13.3速箱和CL ， tRCD的，激进党，真相与和解委员会tRAS的相应斌
DDR3 SDRAM高速箱包括TCK ， tRCD的，激进党， tRAS的和tRC的每一个对应的容器。
[表43 ] DDR3-800速度垃圾桶
速度
CL- NRCD - NRP
参数
内部读取命令到第一个数据
ACT内部的读或写操作延迟时间
PRE命令期
ACT行事或REF指令周期
ACT来PRE命令期
CL = 5
CL = 6
支持CL设置
支持CWL设置
CWL = 5
CWL = 5
符号
TAA
tRCD的
激进党
TRC
tRAS的
TCK （ AVG）
TCK （ AVG）
民
15
15
15
52.5
37.5
3.0
2.5
5,6
5
DDR3-800
6-6-6
最大
20
-
-
-
9*tREFI
3.3
3.3
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NCK
NCK
1,2,3,4,10,11
1,2,3
单位
记
[表44 ] DR3-1066速箱
速度
CL- NRCD - NRP
参数
内部读取命令到第一个数据
ACT内部的读或写操作延迟时间
PRE命令期
ACT行事或REF指令周期
ACT来PRE命令期
CL = 5
CWL = 5
CWL = 6
CL = 6
CL = 7
CL = 8
支持CL设置
支持CWL设置
CWL = 5
CWL = 6
CWL = 5
CWL = 6
CWL = 5
CWL = 6
符号
TAA
tRCD的
激进党
TRC
tRAS的
TCK （ AVG）
TCK （ AVG）
TCK （ AVG）
TCK （ AVG）
TCK （ AVG）
TCK （ AVG）
TCK （ AVG）
TCK （ AVG）
1.875
5,6,7,8
5,6
1.875
版权所有
<2.5
2.5
版权所有
版权所有
<2.5
民
13.125
13.125
13.125
50.625
37.5
3.0
版权所有
3.3
DDR3-1066
7-7-7
最大
20
-
-
-
9*tREFI
3.3
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NCK
NCK
1,2,3,4,5,10,
11
4
1,2,3,5
1,2,3,4
4
1,2,3,4,9
4
1,2,3
单位
记
- 39 -
