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K4B1G0446G
K4B1G0846G
数据表
符号
CIO
CCK
CDCK
CI
CDDQS
CDI_CTRL
CDI_ADD_CMD
CDIO
CZQ
DDR3-800
民
1.5
0.8
0
0.75
0
-0.5
-0.5
-0.5
-
最大
3.0
1.6
0.15
1.5
0.2
0.3
0.5
0.3
3
DDR3-1066
民
1.5
0.8
0
0.75
0
-0.5
-0.5
-0.5
-
最大
2.7
1.6
0.15
1.5
0.2
0.3
0.5
0.3
3
DDR3-1333
民
1.5
0.8
0
0.75
0
-0.4
-0.4
-0.5
-
最大
2.5
1.4
0.15
1.3
0.15
0.2
0.4
0.3
3
DDR3-1600
民
1.5
0.8
0
0.75
0
-0.4
-0.4
-0.5
-
最大
2.3
1.4
0.15
1.3
0.15
0.2
0.4
0.3
3
修订版1.01
DDR3 SDRAM
12.输入/输出电容
[表41 ]输入/输出电容
参数
输入/输出电容
（ DQ ， DM ， DQS ， DQS ， TDQS ， TDQS ）
输入电容
（ CK和CK ）
输入电容三角洲
（ CK和CK ）
输入电容
（所有其他输入专用管脚）
输入电容三角洲
（ DQS和DQS ）
输入电容三角洲
（所有的控制输入专用管脚）
输入电容三角洲
（所有的ADD和CMD输入专用管脚）
输入/输出电容三角洲
（ DQ ， DM ， DQS ， DQS ， TDQS ， TDQS ）
ZQ引脚的输入/输出电容
DDR3-1866
民
1.4
0.8
0
0.75
0
-0.4
-0.4
-0.5
-
最大
2.2
1.3
0.15
1.2
0.15
0.2
0.4
0.3
3
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
记
1,2,3
2,3
2,3,4
2,3,6
2,3,5
2,3,7,8
2,3,9,10
2,3,11
2, 3, 12
记
:
1.虽然DM ， TDQS和TDQS引脚具有不同的功能，负载匹配DQ和DQS
2.此参数是不受生产测试。它是由设计和特性验证。
电容根据JEP147 （ "PROCEDURE用于测量输入电容采用矢量网络分析仪（ VNA ） " ）与测量
V
DD
, V
DDQ
, V
SS
, V
SSQ
应用和所有其他引脚浮动（除待测管脚， CKE ， RESET和ODT必要） 。 V
DD
=V
DDQ
=1.5V, V
BIAS
=V
DD
/ 2和晶粒上
终止掉。
3.此参数仅适用于单片器件;堆叠/双芯片的设备不在这儿
CCK- CCK 4.绝对值
CIO 5.绝对值（ DQS ） -CIO （ DQS ）
6. CI适用于ODT ， CS ， CKE ， A0 -A15 ， BA0 - BA2 ， RAS ， CAS，WE 。
7. CDI_CTRL适用的ODT ， CS和CKE
8. CDI_CTRL = CI （ CTRL ） -0.5 * （ CI （ CLK ） + CI （ CLK ） ）
9. CDI_ADD_CMD适用于A0 -A15 ， BA0 - BA2 ， RAS ， CAS和WE
10. CDI_ADD_CMD = Cl （ ADD_CMD ） - 0.5 * （CI （CLK） + CI （CLK） ）
11. CDIO = CIO （ DQ ， DM ） - 0.5 * （ CIO （ DQS ） + CIO （ DQS ） ）
ZQ引脚12上的最大外部负载电容： 5pF的
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