位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第7页 > K4B1G0846D-HCF7 > K4B1G0846D-HCF7 PDF资料 > K4B1G0846D-HCF7 PDF资料1第30页
K4B1G04(08/16)46D
[表31 ]基本IDD和IDDQ测量条件。
符号
描述
1GB DDR3 SDRAM
IDD0
经营一家银行主动预充电电流
CKE ：
高;
外部时钟：
上;
TCK ， NRC ， NRAS ， CL ：
见表30 ;
BL ：
8a);
AL ：
0;
CS ：
高ACT和PRE之间;
命令，地址，银行地址
输入：
根据表32部分地进行切换;
数据IO ：
浮动;
DM ：稳定
0 ;
银行活动：
同一家银行主动循环的时间： 0,0,1,1,2,2 ， ... （见
Table32);
输出缓冲器和RTT ：
在模式Registersb启用） ;
ODT信号：
稳定在0 ;
图案的详细资料：
请参阅表32
经营一家银行的主动 - 读预充电电流
CKE ：
高;
外部时钟：
上;
TCK ， NRC ， NRAS ， NRCD ， CL ：
见表30 ;
BL ：
8a);
AL ：
0;
CS ：
高ACT ， RD和PRE之间;
命令，地址，
银行地址输入，数据IO ：
根据表33部分地进行切换;
DM ：稳定
0 ;
银行活动：
同一家银行主动循环的时间： 0,0,1,1,2,2 ， ...
（见Table33 ） ;
输出缓冲器和RTT ：
在模式Registersb启用） ;
ODT信号：
稳定在0 ;
图案的详细资料：
请参阅表33
预充电待机电流
CKE ：
高;
外部时钟：
上;
TCK ， CL ：
见表30 ;
BL ：
8a);
AL ：
0;
CS ：
稳定在1 ;
命令，地址，银行地址输入：
部分切换
根据表34;
数据IO ：
浮动;
DM ：稳定
0 ;
银行活动：
所有银行都关闭;
输出缓冲器和RTT ：
在模式Registersb启用） ;
ODT
信号：
稳定在0 ;
图案的详细资料：
请参阅表34
预充电待机电流ODT
CKE ：
高;
外部时钟：
上;
TCK ， CL ：
见表30 ;
BL ：
8a);
AL ：
0;
CS ：
稳定在1 ;
命令，地址，银行地址输入：
部分切换
根据表35;
数据IO ：
浮动; DM ：稳定在0 ;
银行活动：
所有银行都关闭;
输出缓冲器和RTT ：
在模式Registersb启用） ;
ODT显
NAL ：
根据表35进行切换;
图案的详细资料：
请参阅表35
预充电待机ODT IDDQ电流
相同的定义像IDD2NT ，但是IDDQ测量电流，而不是目前的IDD
预充电掉电电流慢速退出
CKE ：
低;
外部时钟：
上;
TCK ， CL ：
见表30 ;
BL ：
8a);
AL ：
0;
CS ：
稳定在1 ;
命令，地址，银行地址输入：
稳定在0 ;
数据IO ：
浮动;
DM ：稳定
0 ;
银行活动：
所有银行都关闭;
输出缓冲器和RTT ：
在模式Registersb启用） ;
ODT信号：
稳定在0 ;
Pecharge
掉电模式：
慢Exitc ）
预充电掉电电流快速退出
CKE ：
低;
外部时钟：
上;
TCK ， CL ：
见表30 ;
BL ：
8a);
AL ：
0;
CS ：
稳定在1 ;
命令，地址，银行地址输入：
稳定在0 ;
数据IO ：
浮动;
DM ：稳定
0 ;
银行活动：
所有银行都关闭;
输出缓冲器和RTT ：
在模式Registersb启用） ;
ODT信号：
稳定在0 ;
Pecharge
掉电模式：
快Exitc ）
预充电静音待机电流
CKE ：
高;
外部时钟：
上;
TCK ， CL ：
见表30 ;
BL ：
8a);
AL ：
0;
CS ：
稳定在1 ;
命令，地址，银行地址输入：
稳定在0 ;
数据IO ：
浮动;
DM ：稳定
0 ;银行
活动：
所有银行都关闭;
输出缓冲器和RTT ：
在模式Registersb启用） ;
ODT信号：
稳定在0
主动待机电流
CKE ：
高;
外部时钟：
上;
TCK ， CL ：
见表30 ;
BL ：
8a);
AL ：
0;
CS ：
稳定在1 ;
命令，地址，银行地址输入：
部分切换
根据表34;
数据IO ：
浮动;
DM ：稳定
0 ;银行
活动：
所有银行开放;
输出缓冲器和RTT ：
在模式Registersb启用） ;
ODT显
NAL ：
稳定在0 ;
图案的详细资料：
请参阅表34
主动掉电电流
CKE ：
低;
外部时钟：
上;
TCK ， CL ：
见表30 ;
BL ：
8a);
AL ：
0;
CS ：
稳定在1 ;
命令，地址，银行地址输入：
稳定在0 ;
数据IO ：
浮动; DM ：稳定在0 ;
银行活动：
所有银行开放;
输出缓冲器和RTT ：
在模式Registersb启用） ;
ODT信号：
稳定在0
工作突发读取电流
CKE ：
高;
外部时钟：
上;
TCK ， CL ：
见表30 ;
BL ：
8a);
AL ：
0;
CS ：
高RD之间;
命令，地址，银行地址输入：
部分瓶酒
根据表36岭大战;
数据IO ：
无缝读出的数据脉冲串与一个脉冲串和下一个，根据表36之间的不同的数据;
DM ：稳定
0 ;
银行活动：
所有银行开放，
RD命令通过银行循环：
0,0,1,1,2,2 ， ... （参见表7 10页） ;
输出缓冲器和RTT ：
在模式启用
Registersb ） ;
ODT信号：
稳定在0 ;
图案的详细资料：
请参阅表36
运营突发读IDDQ电流
相同的定义像IDD4R ，但是IDDQ测量电流，而不是目前的IDD
工作突发写入电流
CKE ：
高;
外部时钟：
上;
TCK ， CL ：
见表30 ;
BL ：
8a);
AL ：
0;
CS ：
高WR之间;
命令，地址，银行地址输入：
部分瓶酒
根据表37岭大战;
数据IO ：
脉冲串与一个脉冲串和下一个，根据表37之间的不同数据无缝的写入数据;
DM ：
稳定在0 ;
银行活动：
所有银行开放，
WR命令通过银行循环：
0,0,1,1,2,2 ， ... （参照表37） ;
输出缓冲器和RTT ：
在模式Registersb启用） ;
ODT信号：
稳定的高;
图案的详细资料：
请参阅表37
突发刷新电流
CKE ：
高;
外部时钟：
上;
TCK ， CL ， nRFC ：
见表30 ;
BL ：
8a);
AL ：
0;
CS ：
高REF之间;
命令，地址，银行地址输入：
杆
根据表38 tially切换;
数据IO ：
浮动; DM ：稳定在0 ;
银行活动：
REF指令每次nRFC （见表38 ） ;
输出缓冲器和RTT ：
在模式Registersb启用） ;
ODT信号：
稳定在0 ;
图案的详细资料：
请参阅表38
自刷新电流：正常温度范围
TCASE ：
0 - 85°C;
自动自刷新（ ASR ） ：
Disabledd ） ;
自刷新温度范围（ SRT ） ：师范） ; CKE ：
低;
外部时钟：
OFF;
CK和CK ：
低;
CL ：
见表30 ;
BL ：
8a);
AL ：
0;
CS ，
命令，地址，银行地址，
数据IO ：
浮动; DM ：稳定在0 ;
银行活动：
自刷新操作;
输出缓冲器和RTT ：
在模式Registersb启用） ;
ODT信号：
漂浮的
IDD1
IDD2N
DD2NT
DDQ2NT
（可选）
IDD2P0
IDD2P1
IDD2Q
IDD3N
IDD3P
IDD4R
IDDQ4R
（可选）
IDD4W
IDD5B
IDD6
第60页30
修订版1.1 2008年8月
