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ADP5040
以导出在电感损失的功率，然后计算
用公式3.添加在降压转换器的功耗
消耗在降压和LDO的电源找到
总的耗散功率。
需要注意的是降压效率曲线为典型值，可
不被提供用于Ⅴ的所有可能的组合
IN
, V
OUT
和
I
OUT
。考虑到这些变化，这是必要的，包括一个
安全裕度计算消耗在降压电源时。
估计功耗第三种方法是分析和
包括建模提供的降压电路的损耗
式（8）至式（11）和设置在所述的LDO的损失
由公式12 。
数据表
电源开关导通损耗是由于输出电流，
I
OUT1
时，流过P沟道MOS晶体管和NMOS场效应管功率
有内部电阻开关，R
DSON -P
和R
DSON -N
。该
传导功率损耗量发现：
P
COND
= [R
DSON -P
×
D
+
R
DSON -N
× (1 –
D)]
×
I
OUT12
(9)
对于
ADP5040,
在125 ° C的结温V
IN1
=
3.6 V ，R
DSON -P
是约0.2 Ω ，且R
DSON -N
大约
0.16 Ω 。在V
IN1
= 2.3 V ，这些值更改为0.31 Ω和0.21 Ω ，
分别与在V
IN1
= 5.5 V ，值是0.16 Ω，
0.14 Ω ，分别。
开关损耗与当前的绘制相关的
驱动器来打开和关闭电源的设备的开关
频率。开关功率损耗的量由下式给出：
P
SW
= (C
GATE -P
+
C
GATE -N
) ×
V
IN1
2
×
f
SW
(3)
其中：
C
GATE -P
为PMOS管的栅极电容。
C
GATE -N
是NMOSFET栅电容。
对于
ADP5040,
了C总（
GATE -P
+
C
GATE -N
）近似
150 pF的。
发生了转换损耗，因为PMOSFET不能
接通或关断瞬间，和SW节点需要一些
时间从近地面附近的V杀
OUT1
（与从V
OUT1
to
接地）。过渡损失量的计算方法是：
P
TRAN
=
V
IN1
×
I
OUT1
× (t
上升
+
t
秋天
) ×
f
SW
(11)
哪里
t
上升
和
t
秋天
是上升时间和的下降时间
交换节点， SW 。对于
ADP5040,
的上升和下降时间
SW是在5纳秒的顺序。
(5)
如果前面的方程和参数用于
估计转换效率，请注意，方程做
没有描述所有的转换器损失，并且参数
给定的值是典型的数字。该转换器的性能
还取决于无源元件和电路板的选择
布局;因此，应包括足够的安全余量
在估算。
(10)
降压稳压器功耗
该降压型稳压器的功率损耗近似为
P
损失
=
P
DBUCK
+
P
L
其中：
P
DBUCK
是功耗上
ADP5040
降压稳压器。
P
L
是电感器功率损耗。
电感损耗是外部设备，他们不
具有管芯温度的任何影响。
电感的损失估计（没有核心亏损）
P
L
I
OUT1
(
RMS
)2
×
DCR
L
其中：
DCR
L
是电感器的串联电阻。
I
OUT1(RMS)
是降压型稳压器的负载均方根电流。
I
OUT1
(
RMS
)
=
I
OUT1
×
1 +
r
/12
(4)
哪里
r
是归一化电感纹波电流。
R
≈
V
OUT1
× (1
D） / （I
OUT1
×
L
×
f
SW
)
其中：
L
是电感。
F
SW
是开关频率。
D
为占空比。
D
=
V
OUT1
/V
IN1
(7)
该
ADP5040
降压型稳压器的功耗，P
DBUCK
,
包括电源开关导通损耗，开关损耗，
与每个信道的转换损耗。还有其他
损耗的来源，但是这些通常是在高少显著
输出负载电流时，应用程序的所在的热限制
是。式（8）示出了由估算功率的计算
在功耗降压稳压器。
P
DBUCK
=
P
COND
+
P
SW
+
P
TRAN
(8)
(6)
LDO稳压器功耗
一个LDO稳压器的功率损耗由下式给出：
P
DLDO
= [(V
IN
–
V
OUT
) ×
I
负载
] + (V
IN
×
I
GND
)
其中：
I
负载
是LDO稳压器的负载电流。
V
IN
和
V
OUT
是LDO的输入和输出电压，
分别。
I
GND
是的LDO稳压器的接地电流。
功耗由于接地电流小，它
可以忽略不计。
在总功率耗散
ADP5040
简化网络下载到：
P
D
= {[P
DBUCK
+
P
DLDO1
+
P
DLDO2
]}
(13)
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