HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
IXFX 32N50
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 500 V
=
32 A
= 0.15
W
t
rr
250纳秒
初步数据表
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
最大额定值
500
500
±20
±30
32
120
32
1.5
45
5
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
J
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
g
PLUS 247
G =门
S =源
D =漏
特点
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
快速内在整流器
应用
DC-DC变换器
电池充电器
开关模式和谐振模式
电源
直流斩波器
AC电机控制
优势
易于组装
节省空间
高功率密度
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
300
6
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
MIN 。 TYP 。
马克斯。
500
0.102
2
-0.206
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
4
V
%/K
V
%/K
nA
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DSS
温度COEF网络cient
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
200
mA
1毫安
0.15
W
V
GS
= 10 V，I
D
= 15A
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
98719A (7/00)
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