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HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ,低吨
rr
, HDMOS
TM
家庭
IXFX 32N50
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
= 500 V
=
32 A
= 0.15
W
t
rr
250纳秒
初步数据表
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / MS ,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
最大额定值
500
500
±20
±30
32
120
32
1.5
45
5
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
J
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
g
PLUS 247
G =门
S =源
D =漏
特点
低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关( UIS)
评级
快速内在整流器
应用
DC-DC变换器
电池充电器
开关模式和谐振模式
电源
直流斩波器
AC电机控制
优势
易于组装
节省空间
高功率密度
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
300
6
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
MIN 。 TYP 。
马克斯。
500
0.102
2
-0.206
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
4
V
%/K
V
%/K
nA
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 1毫安
V
DSS
温度COEF网络cient
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS ( TH)
温度COEF网络cient
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
200
mA
1毫安
0.15
W
V
GS
= 10 V,I
D
= 15A
脉冲测试,T
300
女士,
占空比
2 %
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
98719A (7/00)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-2
IXFX 32N50
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
特征值
典型值。
马克斯。
28
5450
730
310
35
42
110
26
227
29
110
0.15
300
40
145
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
分钟。
PLUS247
TM
概要
18
4950
620
240
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
W
(外部)
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
0.35 K / W
K / W
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / MS ,
V
R
= 100 V
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
32
128
1.5
250
0.85
8
A
A
V
ns
mC
A
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
300
女士,
占空比
2 %
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
查看更多IXFX32N50PDF信息
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXFX32N50
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
IXFX32N50
IXYS
25+
32560
TO-247
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IXFX32N50
IXYS
24+
9000
TO-247-3 Variant
原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
IXFX32N50
IXYS
20+
6000
TO-247
原装现货实单支持
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
IXFX32N50
IXYS
1926+
9852
TO-247
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IXFX32N50
IXYS
24+
10000
PLUS247?-3
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IXFX32N50
IXYS/艾赛斯
2443+
23000
TO247
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IXFX32N50
IXYS
24+
18650
PLUS247
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
IXFX32N50
VB
25+23+
35500
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电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
IXFX32N50
IXYS正品
13+
25800
TO-3P
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QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IXFX32N50
IXYS
21+22+
62710
PLUS247
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