IXFR20N100P
图。 7.输入导纳
35
30
25
32
T
J
= - 40C
28
24
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
25C
20
16
12
8
4
0
125C
I
D
- 安培
20
15
10
5
0
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
T
J
= 125C
25C
- 40C
0
5
10
15
20
25
30
35
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
60
16
14
50
12
V
DS
= 500V
I
D
= 10A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 25C
T
J
= 125C
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
40
10
8
6
30
20
4
2
10
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
1.00
图。 12.最大瞬态热
阻抗
f
= 1MHz的
电容 - 皮法
10,000
西塞
1,000
科斯
Z
（日） JC
- C / W
35
40
0.10
100
CRSS
10
0
5
10
15
20
25
30
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
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IXYS REF ： F_20N100P （ 85 ） 08年4月1日-B
