IXFR20N100P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
Gi
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
(TO-247)
0.15
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 10A
门输入电阻
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 10A ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
8
14
7300
456
55
1.20
40
S
pF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.54
° C / W
° C / W
ISOPLUS247 （ IXFR ）大纲
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 10A
R
G
= 2Ω （外部）
37
56
45
126
50
55
源极 - 漏极二极管
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 10A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
20
80
1.5
A
A
V
300纳秒
0.9
9.0
μC
A
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
由一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
