ISL80102 ， ISL80103
典型工作性能
除非另有说明： V
IN
= 2.2V, V
OUT
= 1.8V ，C
IN
= C
OUT
= 10μF ，T
J
= + 25 ° C，I
L
= 0A.
（续）
EN （ 1V / DIV ）
EN （ 1V / DIV ）
I
OUT
(2A/DIV)
I
OUT
(2A/DIV)
V
OUT
(1V/DIV)
V
OUT
(1V/DIV)
时间（毫秒/ DIV ）
时间（毫秒/ DIV ）
图27. - 拉什值为22nF软启动电容，
C
OUT
= 1000F
图28.浪涌与47nF的软启动电容，
C
OUT
= 1000F
V
OUT
(50mV/DIV)
V
OUT
(50mV/DIV)
I
OUT
(2A/DIV)
I
OUT
(2A/DIV)
的di / dt = 30A / μs的
的di / dt = 30A / μs的
TIME （为200ps / DIV ）
TIME （为200ps / DIV ）
图29.负载瞬态0A到3A ，C
OUT
= 10μF陶瓷
图30.负载瞬态0A到3A ，C
OUT
= 10μF陶瓷
+ 100μF OSCON
V
OUT
(50mV/DIV)
V
OUT
(50mV/DIV)
I
OUT
(2A/DIV)
I
OUT
(2A/DIV)
的di / dt = 30A / μs的
的di / dt = 30A / μs的
TIME （为200ps / DIV ）
TIME （为200ps / DIV ）
图31.负载瞬态1A至3A ，C
OUT
= 10μF陶瓷
图32.负载瞬态1A至3A ，C
OUT
= 10μF陶瓷
+ 100μF OSCON
10
FN6660.2
2011年3月24日
