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IRLR024 , IRLU024 , SiHLR024 , SiHLU024
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 5.0 V
18
4.5
12
单身
D
特点
60
0.10
动态的dv / dt额定值
表面贴装( IRLR024 / SiHLR024 )
直铅( IRLU024 / SiHLU024 )
可用磁带和卷轴
逻辑电平栅极驱动器
R
DS ( ON)
在V指定
GS
= 4 V和5 V
快速开关
铅(Pb) ,免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
D
D
IPAK
(TO-251)
描述
G
G
S
G
S
S
N沟道
MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相,红外,或波焊工艺。直
铅版( IRLU / SiHLU系列)是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
订购信息
铅(Pb ) - 免费
SNPB
一。请参阅设备的方向。
DPAK ( TO- 252 )
IRLR024PbF
SiHLR024-E3
IRLR024
SiHLR024
DPAK ( TO- 252 )
IRLR024TRPbF
a
SiHLR024T-E3
a
IRLR024TR
a
SiHLR024T
a
IPAK ( TO- 251 )
IRLU024PbF
SiHLU024-E3
IRLU024
SiHLU024
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子(PCB
最大功率耗散
最大功率耗散(PCB
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= 25 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 541 μH ,R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 14 A(见图12 ) 。
C.我
SD
17 A, di / dt的
140 A / μs的,V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料)。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 91322
S- 82993 -REV 。 B, 19 -JAN- 09
www.vishay.com
1
坐骑)
e
坐骑)
e
E
AS
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
b
V
GS
在5.0 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
60
± 10
14
9.2
56
0.33
0.020
91
42
2.5
4.5
- 55至+ 150
260
d
W / ℃,
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
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