IRLR024 ， IRLU024 ， SiHLR024 ， SiHLU024
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 5.0 V
18
4.5
12
单身
D
特点
60
0.10
动态的dv / dt额定值
表面贴装（ IRLR024 / SiHLR024 ）
直铅（ IRLU024 / SiHLU024 ）
可用磁带和卷轴
逻辑电平栅极驱动器
R
DS （ ON）
在V指定
GS
= 4 V和5 V
快速开关
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
D
D
IPAK
(TO-251)
描述
G
G
S
G
S
S
N沟道
MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRLU / SiHLU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
DPAK （ TO- 252 ）
IRLR024PbF
SiHLR024-E3
IRLR024
SiHLR024
DPAK （ TO- 252 ）
IRLR024TRPbF
a
SiHLR024T-E3
a
IRLR024TR
a
SiHLR024T
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRLU024PbF
SiHLU024-E3
IRLU024
SiHLU024
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子（PCB
最大功率耗散
最大功率耗散（PCB
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 541 μH ，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 14 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
17 A， di / dt的
≤
140 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91322
S- 82993 -REV 。 B， 19 -JAN- 09
www.vishay.com
1
坐骑）
e
坐骑）
e
E
AS
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
b
V
GS
在5.0 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
60
± 10
14
9.2
56
0.33
0.020
91
42
2.5
4.5
- 55至+ 150
260
d
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
IRLR024 ， IRLU024 ， SiHLR024 ， SiHLU024
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
110
50
3.0
° C / W
单位
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 10 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 5.0 V
V
GS
= 4.0 V
I
D
= 8.4 A
b
I
D
= 7.0 A
b
60
-
1.0
-
-
-
-
-
7.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.068
-
-
-
-
-
-
-
870
360
53
-
-
-
11
110
23
41
4.5
7.5
-
-
2.0
± 100
25
250
0.10
0.14
-
-
-
-
18
4.5
12
-
-
-
-
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
DS
= 25 V，I
D
= 8.4 A
b
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
I
D
= 17 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
pF
V
GS
= 5.0 V
nC
V
DD
= 30 V，I
D
= 17 A,
R
G
= 9.0
Ω,
R
D
= 1.7
Ω,
参见图。 10
b
ns
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
c
D
-
-
nH
G
-
S
-
-
-
-
-
-
-
-
130
0.75
14
A
56
1.5
260
1.5
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 14 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
文档编号： 91322
S- 82993 -REV 。 B， 19 -JAN- 09
IRLR024 ， IRLU024 ， SiHLR024 ， SiHLU024
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 91322
S- 82993 -REV 。 B， 19 -JAN- 09
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3
IRLR024 ， IRLU024 ， SiHLR024 ， SiHLU024
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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4
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S- 82993 -REV 。 B， 19 -JAN- 09
IRLR024 ， IRLU024 ， SiHLR024 ， SiHLU024
Vishay Siliconix公司
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
-
V
DD
5
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
文档编号： 91322
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IRLR024 ， IRLU024 ， SiHLR024 ， SiHLU024
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 5.0 V
18
4.5
12
单身
D
特点
60
0.10
动态的dv / dt额定值
表面贴装（ IRLR024 / SiHLR024 ）
直铅（ IRLU024 / SiHLU024 ）
可用磁带和卷轴
逻辑电平栅极驱动器
R
DS （ ON）
在V指定
GS
= 4 V和5 V
快速开关
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
D
D
IPAK
(TO-251)
描述
G
G
S
G
S
S
N沟道
MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRLU / SiHLU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
DPAK （ TO- 252 ）
IRLR024PbF
SiHLR024-E3
IRLR024
SiHLR024
DPAK （ TO- 252 ）
IRLR024TRPbF
a
SiHLR024T-E3
a
IRLR024TR
a
SiHLR024T
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRLU024PbF
SiHLU024-E3
IRLU024
SiHLU024
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子（PCB
最大功率耗散
最大功率耗散（PCB
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 541 μH ，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 14 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
17 A， di / dt的
≤
140 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91322
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1
坐骑）
e
坐骑）
e
E
AS
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
b
V
GS
在5.0 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
60
± 10
14
9.2
56
0.33
0.020
91
42
2.5
4.5
- 55至+ 150
260
d
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
IRLR024 ， IRLU024 ， SiHLR024 ， SiHLU024
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
110
50
3.0
° C / W
单位
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 10 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 5.0 V
V
GS
= 4.0 V
I
D
= 8.4 A
b
I
D
= 7.0 A
b
60
-
1.0
-
-
-
-
-
7.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.068
-
-
-
-
-
-
-
870
360
53
-
-
-
11
110
23
41
4.5
7.5
-
-
2.0
± 100
25
250
0.10
0.14
-
-
-
-
18
4.5
12
-
-
-
-
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
DS
= 25 V，I
D
= 8.4 A
b
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
I
D
= 17 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
pF
V
GS
= 5.0 V
nC
V
DD
= 30 V，I
D
= 17 A,
R
G
= 9.0
Ω,
R
D
= 1.7
Ω,
参见图。 10
b
ns
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
c
D
-
-
nH
G
-
S
-
-
-
-
-
-
-
-
130
0.75
14
A
56
1.5
260
1.5
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 14 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
文档编号： 91322
S- 82993 -REV 。 B， 19 -JAN- 09
IRLR024 ， IRLU024 ， SiHLR024 ， SiHLU024
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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IRLR024 ， IRLU024 ， SiHLR024 ， SiHLU024
Vishay Siliconix公司
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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S- 82993 -REV 。 B， 19 -JAN- 09
IRLR024 ， IRLU024 ， SiHLR024 ， SiHLU024
Vishay Siliconix公司
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
-
V
DD
5
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
数据表号PD94142
IRU3007
5位可编程同步降压，非同步的
NOUS ，可调LDO至200mA内置的LDO
特点
描述
提供了核心电压， GTL +单芯片解决方案，
时钟供应& 3.3V切换板上
第二切换提供了简单的控制为
板载3.3V电源
200毫安板上LDO稳压器
专为满足英特尔VRM 8.2和8.3规范
重刑奔腾II
板载DAC方案的输出电压
1.3V至3.5V
线性稳压器控制器板上的1.5V
GTL +电源
无损耗的短路保护
同步操作使效率最大化
专利的架构允许固定频率
操作以及占空比为100％时
动态负载
最少元件数
软启动
大电流图腾柱驱动器直接驱动
外部功率MOSFET
电源良好功能监视所有输出
过电压保护电路保护
转换器的输出，并产生一个故障输出
热关断
该IRU3007控制器IC是专为满足
英特尔规范奔腾II 微处理器AP-
褶皱以及下一代P6系列的
处理器。该IRU3007提供单个芯片控制 -
LER芯片的核心电压， LDO控制器，用于GTL +和
内部200毫安调节器的时钟源这是重
需要准备的奔腾II的应用程序。它还包含一个
切换控制器， 5V转换为3.3V稳压
机上的应用程序，它使用两种类型的AT电源
供应或需要不依赖于ATX电源的
3.3V输出。这些器件具有专利的拓扑结构
在与几个外部元件组合，
在典型的应用电路中所示，将提供在
过量输出电流14A的一个板上的DC / DC
转换器而自动提供正确的输出
通过5位内部DAC电压。该IRU3007也为特色的
Tures的，无损耗电流检测均通过交换机
使用R
DS （ ON）
高侧功率MOSFET作为的
检测电阻，内部电流限制在时钟
供电，一个电源良好窗口比较器切换
其集电极开路输出低电平时，输出中的任何一个
使是一个预编程的窗口之外。等为特色的
该设备的Tures的是：欠压锁定为
5V和12V电源，外部可编程软
启动功能，编程通过振荡器频率
一个外部电阻器，过电压保护（ OVP ）税务局局长
cuitry为切换输出和内部热
关机。
注意：
奔腾II和Pentium Pro的是英特尔公司的商标。
应用
奔腾II处理器的完整电源解决方案
应用
典型用途
5V
SWITCHER2
控制
V
O u那样牛逼
2
SWITCHER1
控制
V
O u那样牛逼
1
IRU3007
V
O u那样牛逼
3
线性
控制
线性
调节器
V
O u那样牛逼
4
图1 - IRU3007的典型应用。
包装订购信息
T
A
(°C)
0到70
2.1版
08/20/02
设备
IRU3007CW
www.irf.com
包
28引脚塑料SOIC WB （ W）
1
IRU3007
绝对最大额定值
V5电源电压............................................... .....
V12电源电压............................................... ...
存储温度范围......................................
工作结温范围.....................
7V
20V
-65 ℃150 ℃的
0 ° C至125°C
包装信息
28引脚宽体塑料SOIC （ W）
顶视图
UGate2
1
Phase2
2
VID4
3
VID3
4
VID2
5
VID1
6
VID0
7
PGOOD
8
OCSet2
9
Fb2
10
V5
11
SS
12
故障/ RT
13
Fb4
14
28
V12
27
UGate1
26
Phase1
25
LGate1
24
保护地
23
OCSet1
22
V
SEN
1
21
Fb1
20
NC
19
Fb3
18
Gate3
17
GND
16
V
OUT
4
15
V
SEN
2
u
JA
=808C/W
电气规格
除非另有说明，这些规格适用于V12 = 12V ， V5 = 5V和T
A
= 0至70℃ 。典型值是指
给T
A
= 25°C 。低占空比脉冲测试用于这使结和外壳温度等于环境
温度。
参数
供应UVLO科
UVLO阈值- 12V
UVLO迟滞- 12V
UVLO阈值-5V
UVLO迟滞-5V
电源电流
工作电源电流
符号
测试条件
供应斜坡向上
供应斜坡向上
民
典型值
10
0.4
4.3
0.3
6
30
最大
单位
V
V
V
V
mA
V12
V5
开关控制器;核心电压（V
OUT
1 ）和I / O （V
OUT
2)
VID组（核心电压仅）
DAC输出电压（注1）
DAC输出线路调整
DAC输出温度的变化
VID输入LO
VID输入Hi
VID输入内部上拉
电阻器V5
V
FB
2电压
振荡器部分（内部）
OSC频率
RT =打开
0.99Vs
Vs
0.1
0.5
1.01Vs
0.8
2
27
2
200
V
%
%
V
V
KV
V
千赫
2
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2.1版
08/20/02
IRU3007
注1 ：
VS是指在表1中给出的设定点电压
D4
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
D3
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
D2
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
D1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
D0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
Vs
1.30
1.35
1.40
1.45
1.50
1.55
1.60
1.65
1.70
1.75
1.80
1.85
1.90
1.95
2.00
2.05
D4
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
D3
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
D2
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
D1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
D0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
Vs
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
表1 - 设置点的电压与VID代码
引脚说明
针＃
1
2
3
引脚符号
UGate2
Phase2
VID4
引脚说明
输出驱动高侧功率MOSFET为I / O供电。
该引脚连接到功率MOSFET的I / O供电，它的源代码
提供负感测的内部电流检测电路。
该引脚选择输出电压范围为DAC的。当在本振状态的范围
是1.3V至2.05V ，当它切换到HI状态范围为2.0V至3.5V 。该引脚
TTL兼容了实现一个逻辑“1”作为任HI或打开。开路时，该引脚为
拉起内部由27KV电阻5V电源。
MSB输入到DAC该程序的输出电压。该引脚为TTL兼容的
实现一个逻辑“1”作为任HI或打开。开路时，该引脚上拉由内部
一个27KV电阻5V电源。
输入到DAC该程序的输出电压。该引脚为TTL兼容的实
用于表征一个逻辑“1”作为任HI或打开。开路时，此引脚拉高内部由一个
27KV电阻5V电源。
输入到DAC该程序的输出电压。该引脚为TTL兼容的实
用于表征一个逻辑“1”作为任HI或打开。开路时，此引脚拉高内部由一个
27KV电阻5V电源。
最低位输入到DAC该程序的输出电压。该引脚为TTL兼容的
实现一个逻辑“1”作为任HI或打开。开路时，该引脚上拉由内部
一个27KV电阻5V电源。
该引脚为集电极开路输出LO开关，当任一输出之外
根据电压跳变点指定。它也变低时， V
SEN
1销大于
10％以上的DAC的电压设置。
该引脚连接到I / O电源的功率MOSFET的漏极和提供
正感测的内部电流检测电路。一个外部电阻器亲
克CS门限取决于在R
DS
的功率MOSFET。外部钙
pacitor被放置在平行的编程电阻，以提供高频噪声
过滤。
4
VID3
5
VID2
6
VID1
7
VID0
8
PGOOD
9
OCSet2
4
www.irf.com
2.1版
08/20/02
IRU3007
针＃
10
引脚符号
Fb2
引脚说明
该引脚提供反馈的非同步开关稳压器。电阻
分频器从这个引脚到V连接
OUT
2和地面设置输出电压。该
从V连接的电阻器的值
OUT
2至FB2必须小于100V 。
5V电源电压。高频电容（ 0.1 1MF ）必须被放置在靠近该
引脚和此引脚与地平面的无噪音运行连接。
该引脚提供了软启动的2个开关稳压器。一个内部电阻费
这是从5V电源连接到该引脚可缓慢了一个外部电容
开关调节器的输出，从而防止输出过冲以及
限制输入电流。软启动盖的第二个功能是提供较长关闭
时间（打嗝）的同步MOSFET中的电流限制。
该引脚具有双重功能。它作为过压保护电路的一个输出，或者它可以被用来
程序中使用一个外部电阻器的频率。当用作一个故障检测器（如果有）的
切换器输出超过OVP触发点，故障引脚切换到12V和
软启动盖被排出。如果故障引脚被连接到外部电路，
它需要被缓冲所示的应用电路。
该引脚提供反馈给内部LDO稳压器，其输出为V
OUT
4.
该引脚被连接到I / O开关调节器的输出。它是一个输入该
提供检测的欠压/过压电路的I / O电源，以及作为
电源的内部LDO稳压器。
该引脚为内部LDO稳压器的输出。
该引脚用作接地引脚，并且必须直接连接到接地平面。
该引脚控制的1.5V GTL +线性稳压器外部晶体管的栅极。
该引脚提供反馈的线性稳压器，其输出驱动器是GATE3 。
无连接。
该引脚提供反馈的同步开关稳压器。通常，这个引脚
可以直接连接到开关调节器的输出。然而，电阻器
分推荐连接此引脚与V
OUT
1与接地调整
输出电压为所引起的引线电阻，在输出电压的任何下降。
的电阻器的电压从V相连的值
OUT
1至Fb1的必须小于100V 。
该引脚内部连接到欠压和过压比较器检测
处理器的核心电压状态。它必须直接连接到处理器的核心电压电源。
该引脚连接到核心供电，它的功率MOSFET的漏极
提供正感测的内部电流检测电路。一个外部电阻
器程序在CS阈值取决于在R
DS
的功率MOSFET。外部
电容器并联放置的编程电阻，以提供高频
噪音过滤功能。
该引脚用作电源地引脚，并且必须直接连接到接地
飞机接近同步MOSFET的源极。高频电容
（通常1MF ）必须从V12引脚连接到这个引脚无噪音运行。
输出驱动器的同步功率MOSFET为核心供电。
该引脚连接到功率MOSFET的源为核心供电，它
提供负感测的内部电流检测电路。
输出驱动高侧功率MOSFET为核心供电。
该引脚被连接到12V电源，并作为电源Vcc管脚的输出
驱动程序。高频电容（典型1MF ）必须被放置在靠近该引脚与
PGND引脚和直接连接此引脚与地平面的无噪音
操作。
11
12
V5
SS
13
故障/ RT
14
15
Fb4
V
SEN
2
16
17
18
19
20
21
V
OUT
4
GND
Gate3
Fb3
NC
Fb1
22
23
V
SEN
1
OCSet1
24
保护地
25
26
27
28
LGate1
Phase1
UGate1
V12
2.1版
08/20/02
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5
IRLR024 ， IRLU024 ， SiHLR024 ， SiHLU024
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 5.0 V
18
4.5
12
单身
D
特点
60
0.10
动态的dv / dt额定值
表面贴装（ IRLR024 / SiHLR024 ）
直铅（ IRLU024 / SiHLU024 ）
可用磁带和卷轴
逻辑电平栅极驱动器
R
DS （ ON）
在V指定
GS
= 4 V和5 V
快速开关
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRLU / SiHLU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
DPAK （ TO- 252 ）
IRLR024PbF
SiHLR024-E3
IRLR024
SiHLR024
DPAK （ TO- 252 ）
IRLR024TRPbF
a
SiHLR024T-E3
a
IRLR024TR
a
SiHLR024T
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRLU024PbF
SiHLU024-E3
IRLU024
SiHLU024
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子（PCB
最大功率耗散
最大功率耗散（PCB
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 541 μH ，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 14 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
17 A， di / dt的
≤
140 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91322
S- 81431 -REV 。 A， 21 -JUL- 08
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1
坐骑）
e
坐骑）
e
E
AS
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
b
V
GS
在5.0 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
60
± 10
14
9.2
56
0.33
0.020
91
42
2.5
4.5
- 55至+ 150
260
d
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
IRLR024 ， IRLU024 ， SiHLR024 ， SiHLU024
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
110
50
3.0
° C / W
单位
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 10 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 5.0 V
V
GS
= 4.0 V
I
D
= 8.4 A
b
I
D
= 7.0 A
b
60
-
1.0
-
-
-
-
-
7.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.068
-
-
-
-
-
-
-
870
360
53
-
-
-
11
110
23
41
4.5
7.5
-
-
2.0
± 100
25
250
0.10
0.14
-
-
-
-
18
4.5
12
-
-
-
-
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
DS
= 25 V，I
D
= 8.4 A
b
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
I
D
= 17 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
pF
V
GS
= 5.0 V
nC
V
DD
= 30 V，I
D
= 17 A,
R
G
= 9.0
Ω,
R
D
= 1.7
Ω,
参见图。 10
b
ns
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
c
D
-
-
nH
G
-
S
-
-
-
-
-
-
-
-
130
0.75
14
A
56
1.5
260
1.5
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 14 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
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IRLR024 ， IRLU024 ， SiHLR024 ， SiHLU024
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 91322
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IRLR024 ， IRLU024 ， SiHLR024 ， SiHLU024
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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IRLR024 ， IRLU024 ， SiHLR024 ， SiHLU024
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V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
-
V
DD
5
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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