600V的CoolMOS CP功率晶体管
IPL60R385CP
最大额定值
2
最大额定值
at
T
j
= 25℃，除非另有规定。
表2
参数
连续漏电流
1)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
2)3)
雪崩电流，重复性
2)3)
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
功耗
工作温度
储存温度
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
4)
最大额定值
符号
分钟。
I
D
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j
T
英镑
I
S
I
S，脉冲
dv / dt的
-
-
-
-
-
-
-20
-30
-
-40
-40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
值
典型值。
马克斯。
9.0
5.7
27
227
0.34
3.4
50
20
30
83
150
125
9.0
27
15
400
W
°C
°C
A
A
V / ns的
A / μs的
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
V
DS
=0...400 V,
I
SD
I
D
,
T
j
=25 °C
（见表18）
A
V / ns的
V
V
DS
=0...480 V
STATIC
AC（ f>1赫兹）
T
C
=25 °C
A
mJ
A
T
C
= 25 °C
T
C
= 100°C
T
C
=25 °C
I
D
= 3.4 A，V
DD
=50 V
（见表17）
I
D
= 3.4 A，V
DD
=50 V
单位
注/测试条件
最大的二极管整流
di
f
/ DT
4)
速度
1 ）通过有限
T
，最大值
最大占空比
2 ）脉冲宽度
t
p
受
T
， MAX
3)
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
4 ）相同偏低和具有相同的高边开关
R
G
3
表3
参数
热特性
热特性
符号
分钟。
-
-
-
-
值
典型值。
马克斯。
1.5
45
° C / W
SMD版本，设备
在PCB上， 6厘米
2
冷却
区域
1)
°C
回流焊MSL 3
单位
注意： /
测试条件
热阻，结 - 案
R
thJC
热阻，结 -
环境
再溢流焊接温度
R
thJA
T
出售
-
-
260
1 ）设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米一层环氧树脂FR4 PCB与6厘米
2
铜面积（厚度为70μm ）的漏极连接点。
PCB是垂直的无气流冷却。
最终数据手册
4
2.0版本， 2010-10-01
