600V的CoolMOS CP功率晶体管
IPL60R385CP
1
描述
的的CoolMOS CP系列提供这提供了一种快速的全部益处设备
开关SJ MOSFET ，同时不牺牲易用性。极低
开关损耗和传导损耗使开关应用更加
高效，更紧凑，更轻，冷却。
ThinPak
ThinPAK是迈上了一个新的无铅SMD封装的高压MOSFET的。新
包有一个非常小的占位面积只有64mm的（与150mm的
D
2
PAK ）中，用仅有1mm的高度非常低的轮廓（与4.4毫米为
D
2
PAK ） 。在显著更小的封装尺寸，并结合基准
低寄生电感，为设计者提供了一种新的有效途径
降低功率密度驱动的设计系统解决方案的尺寸。
特点
减少电路板空间消耗
增加功率密度
短回路换向
平滑切换波形
容易使用的产品
极低造成的损失非常低的FOM
DSON
*Q
g
与ê
OSS
根据JEDEC Quallfied
1)
针对目标应用程序（服务器，适配器）
无铅电镀，无卤素
底部视图
漏
引脚4
门
销1
司机
来源
销2
电源
3脚
应用范围：
服务器适配器
表1
参数
主要性能参数
价值
650
0.385
17
27
3.2
400
包
PG-VSON-4
单位
V
nC
A
J
A / μs的
记号
6R385P
相关链接
IFX CP产品简介
IFX CP组合
IFX ThinPAK网页
IFX设计工具
V
DS
@
T
， MAX
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
I
D，脉冲
E
OSS
@ 400V
体二极管D
i
/d
t
TYPE
IPL60R385CP
1 ） J- STD20和JESD22
最终数据手册
2
2.0版本， 2010-10-01
600V的CoolMOS CP功率晶体管
IPL60R385CP
目录
目录
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5
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7
8
描述
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目录
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
最大额定值
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
热特性
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
电气特性
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
电气特性图
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
包装纲要
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
修订历史
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
最终数据手册
3
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600V的CoolMOS CP功率晶体管
IPL60R385CP
最大额定值
2
最大额定值
at
T
j
= 25℃，除非另有规定。
表2
参数
连续漏电流
1)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
2)3)
雪崩电流，重复性
2)3)
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
功耗
工作温度
储存温度
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
4)
最大额定值
符号
分钟。
I
D
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j
T
英镑
I
S
I
S，脉冲
dv / dt的
-
-
-
-
-
-
-20
-30
-
-40
-40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
值
典型值。
马克斯。
9.0
5.7
27
227
0.34
3.4
50
20
30
83
150
125
9.0
27
15
400
W
°C
°C
A
A
V / ns的
A / μs的
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
V
DS
=0...400 V,
I
SD
I
D
,
T
j
=25 °C
（见表18）
A
V / ns的
V
V
DS
=0...480 V
STATIC
AC（ f>1赫兹）
T
C
=25 °C
A
mJ
A
T
C
= 25 °C
T
C
= 100°C
T
C
=25 °C
I
D
= 3.4 A，V
DD
=50 V
（见表17）
I
D
= 3.4 A，V
DD
=50 V
单位
注/测试条件
最大的二极管整流
di
f
/ DT
4)
速度
1 ）通过有限
T
，最大值
最大占空比
2 ）脉冲宽度
t
p
受
T
， MAX
3)
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
4 ）相同偏低和具有相同的高边开关
R
G
3
表3
参数
热特性
热特性
符号
分钟。
-
-
-
-
值
典型值。
马克斯。
1.5
45
° C / W
SMD版本，设备
在PCB上， 6厘米
2
冷却
区域
1)
°C
回流焊MSL 3
单位
注意： /
测试条件
热阻，结 - 案
R
thJC
热阻，结 -
环境
再溢流焊接温度
R
thJA
T
出售
-
-
260
1 ）设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米一层环氧树脂FR4 PCB与6厘米
2
铜面积（厚度为70μm ）的漏极连接点。
PCB是垂直的无气流冷却。
最终数据手册
4
2.0版本， 2010-10-01
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