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650V的CoolMOS E6功率晶体管

IPx65R280E6

电气特性图

表16

典型值。传输特性

典型值。栅极电荷

I

D

= F（V

GS

);

V

DS

=20V

表17

雪崩能量

V

GS

= F （Q

门

),

I

D

= 4.4的脉冲

漏源击穿电压

E

AS

= F （T

j

);

I

D

=2.4 A;

V

DD

=50 V

V

BR （ DSS ）

= F （T

j

);

I

D

= 0.25毫安

最终数据手册

11

2.0版本， 2010-04-26

11

共19页

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