初步
集成
电路
系统公司
ICS844246
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-LVDS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER W
/I
NTEGRATED
F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
典型
387
40
1.29
50
最大
单位
mV
mV
V
mV
T
ABLE
4D 。 LVDS DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ± 5 ％T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
OD
Δ
V
OD
V
OS
Δ
V
OS
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
注：请参考参数测量信息的输出信息。
T
ABLE
4E 。 LVDS DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
OD
Δ
V
OD
V
OS
Δ
V
OS
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
测试条件
最低
典型
379
40
1.24
50
最大
单位
mV
mV
V
mV
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
注：使用一个18pF之并联谐振晶体特征。
25
测试条件
最低
典型的最大
33.333
50
7
1
单位
兆赫
Ω
pF
mW
基本
844246AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。一个2005年9月29日
