初步
集成
电路
系统公司
ICS844246
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-LVDS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER W
/I
NTEGRATED
F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
六LVDS输出
晶体振荡器接口
输出频率范围： 53.125MHz到333.3333MHz
晶振输入频率范围： 25MHz的为33.333MHz
RMS相位抖动在125MHz ，使用25MHz晶体
（ 1.875MHz至20MHz ） ： 0.39ps （典型值）
全3.3V或3.3V核心， 2.5V输出电源模式
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可应要求提供工业级温度信息
可在标准和无铅符合RoHS标准
套餐
功能
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS844246是Crystal至LVDS时钟
合成器/扇出缓冲器设计用于光纤
HiPerClockS
通道和千兆以太网的应用和
是HiperClockS 系列中的一员
从ICS高性能时钟解决方案。
输出频率可以通过使用频率被设置
选择引脚和一个25MHz晶振用于以太网频
quencies ，或26.5625MHz晶体光纤通道。
该ICS844246的低相位噪声特性
让这些苛刻的应用的理想时钟。
IC
S
S
ELECT
F
油膏
T
ABLE
输入
FB_SEL
0
0
0
0
1
1
1
1
N_SEL1
0
0
1
1
0
0
1
1
N_SEL0
0
1
0
1
0
1
0
1
M鸿沟
20
20
20
20
24
24
24
24
DIVIDE
2
4
5
8
3
4
6
12
M / N
10
5
4
2.5
8
6
4
2
B
LOCK
D
IAGRAM
Q0
nQ0
PLL_BYPASS
上拉
P
IN
A
SSIGNMENT
V
DDO
V
DDO
nQ2
Q2
nQ1
Q1
nQ0
Q0
PLL_BYPASS
V
DDA
V
DD
FB_SEL
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
Q3
nQ3
Q4
nQ4
Q5
nQ5
N_SEL1
GND
GND
N_SEL0
XTAL_OUT
XTAL_IN
Q1
1
XTAL_IN
XTAL_OUT
nQ1
OSC
PLL
0
产量
分频器
Q2
nQ2
Q3
nQ3
Q4
nQ4
Q5
nQ5
反馈
分频器
FB_SEL
N_SEL1
N_SEL0
下拉
上拉
上拉
ICS843246
24引脚， 300mil的SOIC
7.5毫米X 15.33毫米X 2.3毫米
体包
男包
顶视图
24引脚TSSOP
4.40毫米X 7.8毫米X 0.92毫米
体包
G封装
顶视图
本文提供的初步信息代表了原型或试生产的产物。所提到的特征的基础上
最初的产品特性。集成电路系统公司（ ICS）保留随时更改任何电路或规格的权利
恕不另行通知。
844246AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。一个2005年9月29日
初步
集成
电路
系统公司
ICS844246
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-LVDS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER W
/I
NTEGRATED
F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
动力
产量
产量
产量
输入
动力
动力
输入
输入
输入
上拉
描述
输出电源引脚。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
PLL和河石英晶体输入，输入到分频器之间进行选择。
当低，选择PLL 。当HIGH ，选择XTAL_IN ， XTAL_OUT 。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
模拟电源引脚。
核心供电引脚。
下拉反馈频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_IN是输入。
XTAL_OUT是输出。
上拉
输出频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
电源接地。
产量
产量
产量
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 2
3, 4
5, 6
7, 8
9
10
11
12
13,
14
15,
18
16, 17
19, 20
21, 22
23, 24
名字
V
DDO
NQ2 ， Q2
NQ1 ， Q1
nQ0 ， Q0
PLL_BYPASS
V
DDA
V
DD
FB_SEL
XTAL_IN ，
XTAL_OUT
N_SEL0
N_SEL1
GND
nQ5 ， Q5
nQ4 ， Q4
nQ3 ， Q3
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
51
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
844246AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。一个2005年9月29日
初步
集成
电路
系统公司
ICS844246
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-LVDS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER W
/I
NTEGRATED
F
ANOUT
B
UFFER
功能
C
RYSTAL
F
油膏
T
ABLE
输入
XTAL （兆赫）
25
25
25
25
25
25
25
25
26.5625
26.5625
26.5625
26.5625
26.5625
30
30
30
30
31.25
31.25
31.25
31.25
33.3333
33.3333
33.3333
33.3333
FB_SEL
0
0
0
0
1
1
1
1
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
N_SEL1
0
0
1
1
0
0
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
N_SEL0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
M
20
20
20
20
24
24
24
24
20
24
24
24
24
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
500
500
500
500
600
600
600
600
531.25
637.5
637.5
637.5
637.5
600
600
600
600
625
62 5
62 5
625
666.6667
666.6667
666.6667
666.6667
VCO （兆赫）
N
2
4
5
8
3
4
6
12
5
3
4
6
12
2
4
5
8
2
4
5
8
2
4
5
8
输出（兆赫）
250
125
100
62.5
200
150
100
50
106.25
212.5
159.375
106.25
53.125
300
150
12 0
75
312.5
156.25
125
78.125
333.3333
166.6667
133.3333
83.3333
844246AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。一个2005年9月29日
初步
集成
电路
系统公司
ICS844246
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-LVDS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER W
/I
NTEGRATED
F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
10mA
15mA
50℃ / W （ 0 LFPM ）
70 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
24引脚SOIC
24引脚TSSOP
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
I
DD
I
DDA
I
DDO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
典型
3. 3
3. 3
3. 3
125
7
127
最大
3.465
3.465
3.465
单位
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
I
DD
I
DDA
I
DDO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
2.375
典型
3. 3
3. 3
2. 5
125
7
115
最大
3.465
3.465
2.625
单位
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
FB_SEL
PLL_BYPASS ，
N_SEL0 ， N_SEL1
FB_SEL
PLL_BYPASS ，
N_SEL0 ， N_SEL1
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-5
-150
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
0. 8
150
5
单位
V
V
A
A
A
A
I
IL
输入低电平电流
844246AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一个2005年9月29日
初步
集成
电路
系统公司
ICS844246
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-LVDS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER W
/I
NTEGRATED
F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
典型
387
40
1.29
50
最大
单位
mV
mV
V
mV
T
ABLE
4D 。 LVDS DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ± 5 ％T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
OD
Δ
V
OD
V
OS
Δ
V
OS
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
注：请参考参数测量信息的输出信息。
T
ABLE
4E 。 LVDS DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
OD
Δ
V
OD
V
OS
Δ
V
OS
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
测试条件
最低
典型
379
40
1.24
50
最大
单位
mV
mV
V
mV
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
注：使用一个18pF之并联谐振晶体特征。
25
测试条件
最低
典型的最大
33.333
50
7
1
单位
兆赫
Ω
pF
mW
基本
844246AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。一个2005年9月29日
初步
集成
电路
系统公司
ICS844246
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-LVDS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER W
/I
NTEGRATED
F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
六LVDS输出
晶体振荡器接口
输出频率范围： 53.125MHz到333.3333MHz
晶振输入频率范围： 25MHz的为33.333MHz
RMS相位抖动在125MHz ，使用25MHz晶体
（ 1.875MHz至20MHz ） ： 0.39ps （典型值）
全3.3V或3.3V核心， 2.5V输出电源模式
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可应要求提供工业级温度信息
可在标准和无铅符合RoHS标准
套餐
功能
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS844246是Crystal至LVDS时钟
合成器/扇出缓冲器设计用于光纤
HiPerClockS
通道和千兆以太网的应用和
是HiperClockS 系列中的一员
从ICS高性能时钟解决方案。
输出频率可以通过使用频率被设置
选择引脚和一个25MHz晶振用于以太网频
quencies ，或26.5625MHz晶体光纤通道。
该ICS844246的低相位噪声特性
让这些苛刻的应用的理想时钟。
IC
S
S
ELECT
F
油膏
T
ABLE
输入
FB_SEL
0
0
0
0
1
1
1
1
N_SEL1
0
0
1
1
0
0
1
1
N_SEL0
0
1
0
1
0
1
0
1
M鸿沟
20
20
20
20
24
24
24
24
DIVIDE
2
4
5
8
3
4
6
12
M / N
10
5
4
2.5
8
6
4
2
B
LOCK
D
IAGRAM
Q0
nQ0
PLL_BYPASS
上拉
P
IN
A
SSIGNMENT
V
DDO
V
DDO
nQ2
Q2
nQ1
Q1
nQ0
Q0
PLL_BYPASS
V
DDA
V
DD
FB_SEL
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
Q3
nQ3
Q4
nQ4
Q5
nQ5
N_SEL1
GND
GND
N_SEL0
XTAL_OUT
XTAL_IN
Q1
1
XTAL_IN
XTAL_OUT
nQ1
OSC
PLL
0
产量
分频器
Q2
nQ2
Q3
nQ3
Q4
nQ4
Q5
nQ5
反馈
分频器
FB_SEL
N_SEL1
N_SEL0
下拉
上拉
上拉
ICS843246
24引脚， 300mil的SOIC
7.5毫米X 15.33毫米X 2.3毫米
体包
男包
顶视图
24引脚TSSOP
4.40毫米X 7.8毫米X 0.92毫米
体包
G封装
顶视图
本文提供的初步信息代表了原型或试生产的产物。所提到的特征的基础上
最初的产品特性。集成电路系统公司（ ICS）保留随时更改任何电路或规格的权利
恕不另行通知。
844246AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。一个2005年9月29日
初步
集成
电路
系统公司
ICS844246
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-LVDS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER W
/I
NTEGRATED
F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
动力
产量
产量
产量
输入
动力
动力
输入
输入
输入
上拉
描述
输出电源引脚。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
PLL和河石英晶体输入，输入到分频器之间进行选择。
当低，选择PLL 。当HIGH ，选择XTAL_IN ， XTAL_OUT 。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
模拟电源引脚。
核心供电引脚。
下拉反馈频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_IN是输入。
XTAL_OUT是输出。
上拉
输出频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
电源接地。
产量
产量
产量
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 2
3, 4
5, 6
7, 8
9
10
11
12
13,
14
15,
18
16, 17
19, 20
21, 22
23, 24
名字
V
DDO
NQ2 ， Q2
NQ1 ， Q1
nQ0 ， Q0
PLL_BYPASS
V
DDA
V
DD
FB_SEL
XTAL_IN ，
XTAL_OUT
N_SEL0
N_SEL1
GND
nQ5 ， Q5
nQ4 ， Q4
nQ3 ， Q3
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
51
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
844246AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。一个2005年9月29日
初步
集成
电路
系统公司
ICS844246
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-LVDS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER W
/I
NTEGRATED
F
ANOUT
B
UFFER
功能
C
RYSTAL
F
油膏
T
ABLE
输入
XTAL （兆赫）
25
25
25
25
25
25
25
25
26.5625
26.5625
26.5625
26.5625
26.5625
30
30
30
30
31.25
31.25
31.25
31.25
33.3333
33.3333
33.3333
33.3333
FB_SEL
0
0
0
0
1
1
1
1
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
N_SEL1
0
0
1
1
0
0
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
N_SEL0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
M
20
20
20
20
24
24
24
24
20
24
24
24
24
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
500
500
500
500
600
600
600
600
531.25
637.5
637.5
637.5
637.5
600
600
600
600
625
62 5
62 5
625
666.6667
666.6667
666.6667
666.6667
VCO （兆赫）
N
2
4
5
8
3
4
6
12
5
3
4
6
12
2
4
5
8
2
4
5
8
2
4
5
8
输出（兆赫）
250
125
100
62.5
200
150
100
50
106.25
212.5
159.375
106.25
53.125
300
150
12 0
75
312.5
156.25
125
78.125
333.3333
166.6667
133.3333
83.3333
844246AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。一个2005年9月29日
初步
集成
电路
系统公司
ICS844246
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-LVDS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER W
/I
NTEGRATED
F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
10mA
15mA
50℃ / W （ 0 LFPM ）
70 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
24引脚SOIC
24引脚TSSOP
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
I
DD
I
DDA
I
DDO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
典型
3. 3
3. 3
3. 3
125
7
127
最大
3.465
3.465
3.465
单位
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
I
DD
I
DDA
I
DDO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
2.375
典型
3. 3
3. 3
2. 5
125
7
115
最大
3.465
3.465
2.625
单位
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
FB_SEL
PLL_BYPASS ，
N_SEL0 ， N_SEL1
FB_SEL
PLL_BYPASS ，
N_SEL0 ， N_SEL1
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-5
-150
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
0. 8
150
5
单位
V
V
A
A
A
A
I
IL
输入低电平电流
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初步
集成
电路
系统公司
ICS844246
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-LVDS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER W
/I
NTEGRATED
F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
典型
387
40
1.29
50
最大
单位
mV
mV
V
mV
T
ABLE
4D 。 LVDS DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ± 5 ％T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
OD
Δ
V
OD
V
OS
Δ
V
OS
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
注：请参考参数测量信息的输出信息。
T
ABLE
4E 。 LVDS DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
OD
Δ
V
OD
V
OS
Δ
V
OS
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
测试条件
最低
典型
379
40
1.24
50
最大
单位
mV
mV
V
mV
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
注：使用一个18pF之并联谐振晶体特征。
25
测试条件
最低
典型的最大
33.333
50
7
1
单位
兆赫
Ω
pF
mW
基本
844246AM
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REV 。一个2005年9月29日
QQ：2881677436 复制
