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初步
集成
电路
系统公司
ICS840004I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
T
ABLE
3D 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V±5%
OR
2.5V±5%,
OR
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
V
IH
V
IL
输入
高压
输入
低电压
输入
HIGH CURRENT
OE ， F_SEL0 ， F_SEL1
nPLL_SEL ， MR，
nXTAL_SEL ， TEST_CLK
OE ， F_SEL0 ， F_SEL1
nPLL_SEL ， MR，
nXTAL_SEL ， TEST_CLK
测试条件
V
DD
= 3.3V
V
DD
= 2.5V
V
DD
= 3.3V
V
DD
= 2.5V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
或2.625V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
或2.625V
V
DD
= 3.465V或2.625V ，
V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V或2.625V ，
V
IN
= 0V
V
DDO
= 3.3V ± 5%
V
DDO
= 2.5V ± 5%
V
DDO
= 3.3V或2.5V ± 5％的
最小典型
2
1.7
-0.3
-0.3
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
0.7
5
150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
I
IH
I
IL
输入
低电流
-150
-5
2. 6
1.8
0. 5
V
OH
V
OL
输出高电压;注1
输出低电压;注1
V
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量信息，输出负载测试电路。
T
ABLE
4. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
注：使用一个18pF之并联谐振CR石英晶体特点。
测试条件
最低
典型
26.5625
50
7
1
最大
单位
兆赫
Ω
pF
mW
基本
840004AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一个2005年6月28日
