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HVV1012-250高电压，高耐用性
TM
L波段航空电子脉冲功率晶体管
1125至50年兆赫，为10μs脉冲，占空比1％
对于机载DME ， TCAS和IFF应用
特点
MOSFET硅技术
操作从24V到50V
高功率增益
超强的坚固
内部输入和输出匹配
优良的热稳定性
所有金键合方案
典型性能
高电压垂直的技术非常适用于在高功率脉冲的应用
L波段，包括机载DME ， IFF ， TCAS与S模式的应用程序。
模式
CLASS AB
频率
（兆赫）
VDD
(V)
IDQ
（MA ）
动力
(W)
收益
（ dB）的
效率
(%)
IRL
（ dB）的
1150
50
100
250
19.5
48
20:1
表1：
在25℃温度下具有的RF脉冲的条件在宽带文本夹具典型的RF性能
脉冲宽度为10μs =和脉冲周期为1ms 。
描述
高功率HVV1012-250设备设计的增强型射频MOSFET功率晶体管
对于脉冲应用在L波段，从1025MHz到1150MHz 。高压HVVFET 技术
生产超过脉冲的输出功率为250W ，同时提供高增益，高效率，以及易于匹配的
与50 V电源。垂直器件结构保证了高可靠性和耐用性的设备是
指定要承受20 ：在全额定输出功率1 VSWR所有相位角。
订购信息
设备型号： HVV1012-250
演示套件型号： HVV1012-250 -EK
可通过理察森电子（ http://rfwireless.rell.com/ ）
HVVi半导体公司
10235 S.第51街100套房
亚利桑那州凤凰城。 85044
ISO 9001：2000认证
联系电话： （ 866 ） 429 - HVVi （ 4884 ） ，或浏览www.hvvi.com
2008 HVVi半导体， Inc.保留所有权利。
EG-01-DS09A
12/11/08
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