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HVV1012-250高电压，高耐用性
TM
L波段航空电子脉冲功率晶体管
1125至50年兆赫，为10μs脉冲，占空比1％
对于机载DME ， TCAS和IFF应用
特点
MOSFET硅技术
操作从24V到50V
高功率增益
超强的坚固
内部输入和输出匹配
优良的热稳定性
所有金键合方案
典型性能
高电压垂直的技术非常适用于在高功率脉冲的应用
L波段，包括机载DME ， IFF ， TCAS与S模式的应用程序。
模式
CLASS AB
频率
（兆赫）
VDD
(V)
IDQ
（MA ）
动力
(W)
收益
（ dB）的
效率
(%)
IRL
（ dB）的
1150
50
100
250
19.5
48
20:1
表1：
在25℃温度下具有的RF脉冲的条件在宽带文本夹具典型的RF性能
脉冲宽度为10μs =和脉冲周期为1ms 。
描述
高功率HVV1012-250设备设计的增强型射频MOSFET功率晶体管
对于脉冲应用在L波段，从1025MHz到1150MHz 。高压HVVFET 技术
生产超过脉冲的输出功率为250W ，同时提供高增益，高效率，以及易于匹配的
与50 V电源。垂直器件结构保证了高可靠性和耐用性的设备是
指定要承受20 ：在全额定输出功率1 VSWR所有相位角。
订购信息
设备型号： HVV1012-250
演示套件型号： HVV1012-250 -EK
可通过理察森电子（ http://rfwireless.rell.com/ ）
HVVi半导体公司
10235 S.第51街100套房
亚利桑那州凤凰城。 85044
ISO 9001：2000认证
联系电话： （ 866 ） 429 - HVVi （ 4884 ） ，或浏览www.hvvi.com
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L波段航空电子脉冲功率晶体管
L波段航空电子设备
L波段航空电子脉冲功率晶体管
脉冲功率晶体管
1125至50年兆赫，为10μs脉冲，占空比1％
1025-1150
周期
1125至50年兆赫， 10μs的脉冲， 1 ％关税
兆赫，为10μs脉冲，占空比1％
为
敌我识别应用
对于机载DME ， TCAS和
机载DME ， TCAS和IFF应用
对于机载DME ， TCAS和IFF应用
TM
电气特性
电动
特征
电动
特征
符号参数
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条件
民
V
BR （ DSS ）
漏源击穿VGS = 0V ， ID = 5毫安
95
DSS
I
漏极漏电流
VGS=0V,VDS=48V
-
I
GSS
栅极漏电流
VGS=5V,VDS=0V
-
1
G
P
功率增益
F=1150MHz
17.5
1
IRL
输入回波损耗
F=1150MHz
-
1
η
D
漏EF网络效率
F=1150MHz
46
2
VGS （Q ）栅极静态电压
VDD=50V,IDQ=100mA
1.1
VTH
阈值电压
VDD = 5V ， ID = 300μA
0.7
典型
最大
102
-
50
200
1
5
19.5
-
-7
-4
48
-
1.45
1.8
1.2
1.7
单位
V
μA
μA
dB
dB
%
V
V
符号
1
T
r
1
T
f
PD
1
脉冲特性
脉冲
特征
脉冲
特征
上升
时间
秋天
时间
脉冲下垂
参数
F=1150MHz
F=1150MHz
F=1150MHz
条件
民
典型
最大
<40
-
50
-
<15
50
-
0.25
0.5
单位
nS
nS
dB
热性能
热
特征
热
性能
耐用性性能
耐用性性能
耐用性性能
该HVV1012-250设备能够经受对应于一个20的输出负载不匹配： 1的VSWR
at
在额定输出功率和整个工作频带的标称工作电压。
1
注：脉冲条件下，在以10％的被测250W的输出功率测量的所有参数
½
½
周期为1 ％和VDD = 50V ， IDQ =百毫安在基础广泛
点的脉冲的脉冲宽度= 10微秒，占空
带匹配测试夹具。
2
注：金额
参数
达到额定静态电流要求。
1 ）注意：所有
栅极电压
脉冲条件下，在250W的输出功率测量
1 ）注意：在250W的输出功率脉冲条件下测得的所有参数
在10％的点的脉冲的脉冲宽度= 10微秒，占空比= 1％测
测= 50V ，10％ = 100mAthea宽带匹配测试fixture.duty周期= 1％
和VDD的IDQ点的脉冲，脉冲宽度= 10微秒，
和VDD = 50V ，门在宽带匹配测试额定静态电流IDQ = 。
2 ）注意：需要的量100毫安电压达到夹具。
2 ）注意：达到额定静态电流要求栅极电压的金额。
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圣套房
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HVV1012-250高电压，高耐用性
高耐用性
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脉冲功率晶体管
L波段航空电子设备
1125至50年兆赫，为10μs脉冲，占空比1％
为10μs脉冲，占空比1％
1125至50年兆赫，
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对于机载DME ， TCAS和IFF应用
敌我识别应用
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Z
以*
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Z
o
= 10
1025MHz
Z
出*
1025MHz
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演示电路板图片
演示板可用概要
演示电路板图片
演示板大纲
（ AutoCAD文件的演示板
在线
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（ AutoCAD文件的演示板可
演示电路板图片
网上www.hvvi.com/products ）
演示板大纲
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电压，高耐用性
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脉冲功率晶体管
L波段航空电子设备
1125至50年兆赫，为10μs脉冲，
1025-1150
周期
为10μs脉冲，占空比1％
1 ％占空比
兆赫，
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对于机载DME ， TCAS
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材料HVV1012-250演示电路板草案
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