Preliminar½

HT45FM2C

无刷直流电动机的Flash型8位MCU

写数据到EEPROM

写数据到EEPROM中，写使能位，雷恩，在EEC寄存器必须先设置

高以使能写功能。要写入然后必须的数据的EEPROM地址

放入EEA寄存器中，并置于EED寄存器中的数据。若EEC寄存器中的WR位

被置高，内部写周期将被启动。将WR位高，将不会启动

写周期，如果WREN位尚未确定。由于EEPROM写周期是一个控制

内部定时器的操作是异步的，以单片机系统时钟，在一定时间

经过之前的数据将被写入到EEPROM中。检测时的写入周期

完成就可以通过查询或者实施EEC寄存器或使用WR位

EEPROM中断。当写周期结束时，WR位会被自动清零

零由微控制器，通知该数据已被写入到EEPROM中的用户。该

因此，应用程序可以查询WR位以确定写周期已经结束。

写保护

防止意外的写操作有以下几种。之后该装置是

通电控制寄存器的写使能位将被清除以杜绝任何写入

操作。此外，在电源接通的银行指针，BP将被重置为零，这意味着数据

Memory Bank 0 will be selected. As the EEPROM control register is located in Bank 1, this adds a

进一步的措施，防止误写操作。在正常程序操作，

确保写使能控制寄存器清零将有效地防止不正确位

写操作。

EEPROM中断

EEPROM写或读中断EEPROM写或读周期结束时生成的。

EEPROM的中断，必须先通过设置相关中断的EPWE位使能

注册。由于EEPROM包含在多功能中断中，相关的

多功能中断使能位也必须置。当EEPROM写周期结束，

EPWF请求标志及其相关多功能中断请求标志将被置位。如果

EEPROM和多功能中断使能且堆栈未满，则跳转至

相关多功能中断向量中执行。当中断只服务

多功能中断标志会自动复位，而EEPROM中断标志将

由应用程序手动复位。更多细节可以在中断部分获得。

编程注意事项

必须注意的是数据不会无意中写入EEPROM 。保护可

通过确保在写使能位通常被清除到零，当不写增强。还

the Bank Pointer could be normally cleared to zero as this would inhibit access to Bank 1 where

EEPROM控制寄存器存在。尽管没有必要，可考虑

通过一个简单的应用程序，以对新的写入数据的有效性的检查中读回

流程。

修订版1.10

½½

½a½ ½0½ ½01½