Preliminar½
HT45FM2C
无刷直流电动机的Flash型8位MCU
EEPROM数据存储器
该器件包含内部EEPROM数据存储器的一个区域。的EEPROM ，它代表
电可擦除可编程只读存储器，是由它的性质的非挥发性形式
的再编程的存储器，具有数据保留，甚至当它的电源被断开。通过
结合这样的数据存储器，应用可能性的全新主机是由
提供给设计师。 EEPROM存储的可用性允许信息，如产品
编号，校准值，用户特定数据，系统配置参数或其它产品
信息能够直接在产品微控制器内存储的。阅读的过程，
将数据写入到EEPROM存储器已经降低到一个非常琐碎的事情。
EEPROM数据存储器结构
The EEPROM Data Memory capacity is 128×8 bits. Unlike the Program Memory and RAM Data
内存方面， EEPROM数据存储器并不直接映射到内存空间，因此不
直接寻址的方式相同的其它类型的存储器。读取和写入操作的
EEPROM are carried out in single byte operations using an address and data register in Bank 0 and
a single control register in Bank 1.
EEPROM寄存器
三个寄存器控制内部EEPROM数据存储器的整体运作。这些是
地址寄存器， EEA ，数据寄存器EED及控制寄存器EEC 。同时作为欧洲经济区
and EED registers are located in Bank 0, they can be directly accessed in the same was as any other
Special Function Register. The EEC register however, being located in Bank1, cannot be addressed
directly and can only be read from or written to indirectly using the MP1 Memory Pointer and
Indirect Addressing Register, IAR1. Because the EEC control register is located at address 40H in
Bank 1, the MP1 Memory Pointer must first be set to the value 40H and the Bank Pointer register,
BP, set to the value, 01H, before any operations on the EEC register are executed.
EEPROM寄存器列表
名字
EEA
EED
欧洲经济共同体
位
7
—
D7
—
6
D6
D6
—
5
D5
D5
—
4
D4
D4
—
3
D½
D½
雷恩
2
D½
D½
WR
1
D1
D1
RDEN
0
D0
D0
RD
EEA注册
位
名字
读/写
POR
7
—
—
—
6
D6
读/写
x
5
D5
读/写
x
4
D4
读/写
x
3
D½
读/写
x
2
D½
读/写
x
1
D1
读/写
x
0
D0
读/写
x
“ X ”未知
Bit 7
Bit 6~0
Unimplemented, read as “0”
数据EEPROM地址
Data EEPROM address bit 6~bit 0
修订版1.10
½1
½a½ ½0½ ½01½
