HMC863LP4E
v01.1110
GaAs pHEMT MMIC ½ WATT
功放， 22 - 26.5 GHz的
外形绘图
9
注意事项：
1.包装体材质：氧化铝
2.铅和地面PADDLE电镀： 3080微英寸镀金
50微英寸的最低镍。
3.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
4.引线间距有容乃非累积
五，包装WARP不得超过0.05毫米DATUM -C-
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接
PCB的RF接地。
包装信息
产品型号
HmC863lp4e
包主体材料
7.列为潮湿敏感度等级（ MSL） 1 。
无铅封装
100 ％雾锡
MSL等级
msl1
[2]
包装标志
[1]
H863
XXXX
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
[1] 4位数的批号XXXX
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
引脚说明
引脚数
1, 2, 4 - 7, 12 -
15, 17 - 19, 24
包底
3
8 - 11
16
功能
GND
RFIN
N / C
RFOUT
描述
接地管脚和封装的底部必须被连接到
RF / DC接地。
该引脚交流耦合，匹配50欧姆。
该引脚没有内部连接;然而，所有的数据
本文所示测量这些引脚连接到
射频/直流接地外部。
该引脚交流耦合，匹配50欧姆。
接口示意图
20
Vd
漏极偏置的放大器。外置100 PF ， 0.1 μF和4.7 μF
旁路电容是必需的。
23
Vg
门控制PA 。 Vg的调整，以达到推荐
偏置电流。外置100 PF ， 0.1 μF和4.7 μF旁路
电容器。
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9-6
放大器 - 线性& POWER - SMT
