HMC863LP4E
v01.1110
GaAs pHEMT MMIC ½ WATT
功放， 22 - 26.5 GHz的
获得&功率与
电源电压@ 25 GHz的
32
获得&功率与
电源电流@ 25 GHz的
32
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
30
28
26
24
22
20
18
300
320
340
收益
P1dB
PSAT
30
28
26
24
22
20
18
收益
P1dB
PSAT
9
放大器 - 线性& POWER - SMT
360
380
400
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
IDD （MA ）
Vdd的（V）的
功耗
4
功耗（ W）
3.5
3
23 GHz的
24 GHz的
25 GHz的
26 GHz的
27 GHz的
2.5
2
1.5
1
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
输入功率（dBm ）
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VD ）
RF输入功率（ RFIN ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免37毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
6.3V
+26 dBm的
150 °C
2.52 w
26.9 C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
0级， 150V
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+5.0
+5.5
+6.0
IDD （MA ）
350
350
350
注：放大器将工作在显示全电压范围
上述VGG调整，以达到电流IDD = 350毫安在+ 5.5V
静电敏感器件
观察处理注意事项
9-5
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
