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ATmega8515(L)
防止EEPROM
腐败
在低V的时期
CC
， EEPROM中的数据可以被破坏，因为电源电压
年龄过低，CPU和正确操作的EEPROM中。这些问题都是
一样使用独立的EEPROM器件的系统，同样的设计方案应该
被应用。
一个EEPROM数据损坏有两种情况引起，当电压过高
低。首先，常规的写序列到EEPROM需要一个最小的电压，以
正确操作。其次， CPU本身可以当执行指令不正确，
电源电压过低。
EEPROM数据损坏的问题可以通过以下方法解决
建议：
请在电源电压不足期间AVR RESET信号（低）
年龄。这可以通过使能芯片的掉电检测（ BOD）来完成。如果
内部BOD的检测水平并不需要的检测水平相匹配，一个
外部低V
CC
复位保护电路都可以使用。如果发生复位而
写操作过程中，写操作将被完成的条件是
电源电压是足够的。
I / O存储器
该ATmega8515的的I / O空间定义页面上显示的“注册摘要”
237.
ATmega8515的所有I / O和外设都被放置在I / O空间。在I / O地址是
通过IN和OUT指令来访问，在32个通用之间传输数据
造成工作寄存器和I / O空间。 I /地址范围内的O寄存器00美元 -
$ 1F直接对位进行访问使用SBI和CBI指令。在这些寄存器中，在
单个比特的值可以通过使用SBIS和SBIC指令进行检查。请参阅
该指令用于更详细设定部。在使用时的I / O特定的命令
和OUT的I / O地址00美元 - $ 3F必须使用。当寻址的I / O寄存器为
使用LD和ST指令数据空间20元必须被添加到这些地址。
为了与以后的器件兼容，保留位应写入零，如果访问。
保留的I / O内存地址不应该被写入。
一些状态标志可以通过写入逻辑1来清除。需要注意的是CBI
和SBI指令将作用于在I / O寄存器所有位，写一回
任何标记读取的设定，从而清除标志。 CBI和SBI指令稳压工作
存器$ 00- $ 1F只。
在I / O和外设控制寄存器在其他章节介绍。
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2512G–AVR–03/05
