恩智浦半导体
HEF4104B
四低到高的电压转换器具有三态输出
表7中。
动态特性
- 续
T
AMB
= 25
°
℃;测试电路见
图7 ;
除非另有规定ED 。
符号参数
t
PLZ
低到OFF状态
传播延迟
条件
OE到Bn ，BN ;看
图6
V
DD （ A）
= V
DD （ B）
= 5 V
V
DD （ A）
= V
DD （ B）
= 10 V
V
DD （ A）
= V
DD （ B）
= 15 V
t
PZH
OFF状态，以高
传播延迟
OE到Bn ，BN ;看
图6
V
DD （ A）
= V
DD （ B）
= 5 V
V
DD （ A）
= V
DD （ B）
= 10 V
V
DD （ A）
= V
DD （ B）
= 15 V
t
PZL
OFF状态，以LOW
传播延迟
OE到Bn ，BN ;看
图6
V
DD （ A）
= V
DD （ B）
= 5 V
V
DD （ A）
= V
DD （ B）
= 10 V
V
DD （ A）
= V
DD （ B）
= 15 V
[1]
外推公式
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
70
55
55
195
95
80
195
95
80
最大
135
105
110
395
195
165
395
190
160
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
的传播延迟和输出转变时间典型值可以（来计算外推式C
L
单位为pF ） 。
表8 。
动态功耗
V
DD （ A）
= V
DD （ B）
; V
SS
= 0 V ;牛逼
r
= t
f
≤
20纳秒;牛逼
AMB
= 25
°
C.
符号参数
P
D
动态功耗
耗散
V
DD[1]
典型配方（ μW ）
5V
10 V
15 V
P
D
= 3000
×
f
i
+
Σ(f
o
×
C
L
)
×
V
DD2
P
D
= 12200
×
f
i
+
Σ(f
o
×
C
L
)
×
V
DD2
P
D
= 31000
×
f
i
+
Σ(f
o
×
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
Σ(f
o
×
C
L
）=输出的总和;
V
DD
在五=电源电压
[1]
V
DD
是相同的V
DD （ A）
和V
DD （ B）
.
HEF4104B_7
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牧师07 - 2009年12月16日
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