恩智浦半导体
HEF4104B
四低到高的电压转换器具有三态输出
8.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考V
SS
= 0V （接地） 。
符号
V
DD （ A）
V
DD （ B）
I
IK
V
I
I
OK
I
I / O
I
DD
T
英镑
T
AMB
P
合计
参数
电源电压
电源电压B
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输入/输出电流
电源电流
储存温度
环境温度
总功耗
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
DIP16
SO16
P
[1]
[2]
[3]
[2]
[3]
[1]
条件
端口; V
DD （ A）
≤
V
DD （ B）
B端口; V
DD （ B）
≥
V
DD （ A）
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
DD （ A）
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
DD （ B）
+ 0.5 V
民
0.5
0.5
-
0.5
-
-
-
65
40
-
-
-
最大
+18
+18
±10
±10
±10
50
+150
+85
750
500
100
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
mW
mW
mW
V
DD （ A）
+ 0.5 V
功耗
I
DD
是I的组合的电流
DD （ A）
我
DD （ B）
.
每路输出
对于DIP16封装：以上牛逼
AMB
= 70
°C,
P
合计
线性减额在12毫瓦/ K 。
对于SO16封装：以上牛逼
AMB
= 70
°C,
P
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表5 。
符号
V
DD （ A）
V
DD （ B）
V
I
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电压B
输入电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
在自由空气
V
DD （ A）
= 5 V
V
DD （ A）
= 10 V
V
DD （ A）
= 15 V
条件
民
3
≥
V
DD （ A）
0
40
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
≤
V
DD （ B）
15
V
DD （ A）
+85
3.75
0.5
0.08
单位
V
V
V
°C
微秒/ V
微秒/ V
微秒/ V
HEF4104B_7
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牧师07 - 2009年12月16日
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