SSM6N04FU
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
SSM6N04FU
高速开关应用
·
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借助内置的栅极 - 源极电阻，R
GS
= 1 MΩ （典型值）。
2.5 V门极驱动
低栅极阈值电压： V
th
= 0.7~1.3 V
小型封装
单位：mm
最大额定值
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
符号
V
DS
V
GSS
I
D
P
D
（注）
T
ch
T
英镑
等级
20
10
100
200
150
-55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
注：总的评价
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-2J1C
重量： 6.8毫克（典型值）。
记号
引脚分配
（ TOP VIEW ）
（ Q1 ， Q2常见）
等效电路
1
2003-03-28
