【SSM6N04FU东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型SSM6N04FU高速开关应用借助内置的栅极 - 】,IC型号SSM6N04FU,SSM6N04FU PDF资料,SSM6N04FU经销商,ic,电子元器件-51电子网

SSM6N04FU

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型

SSM6N04FU

高速开关应用

借助内置的栅极 - 源极电阻，R

= 1 MΩ （典型值）。

2.5 V门极驱动

低栅极阈值电压： V

= 0.7~1.3 V

小型封装

单位：mm

（ Q1 ， Q2常见）

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

栅源电压

直流漏电流

漏极功耗

通道温度

存储温度范围

符号

GSS

（注1 ）

英镑

等级

100

200

150

55~150

单位

°C

重负载下连续使用（例如应用

高温/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）内的

绝对最大额定值。

请在审查设计相应的可靠性

东芝半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人

可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障

率等）。

注1 ：总的评价

注意：

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-2J1C

重量： 6.8毫克（典型值）。

记号

引脚分配

（ TOP VIEW ）

（ Q1 ， Q2常见）

等效电路

2007-11-01

SSM6N04FU

电气特性

（大

25 ° C）（ Q1 ， Q2公用）

特征

栅极漏电流

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

漏源导通电阻

输入电容

反向传输电容

输出电容

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

符号

GSS

（ BR ） DSS

DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

关闭

测试条件

10 V, V

100

μA,

20 V, V

3 V，I

0.1毫安

3 V，I

10毫安

10毫安，V

2.5 V

3 V, V

0, f

1兆赫

3 V, V

0, f

1兆赫

3 V, V

0, f

1兆赫

3 V，I

10毫安，V

0~2.5 V

3 V，I

10毫安，V

0~2.5 V

0~10 V

民

0.7

典型值。

11.0

3.3

9.3

0.16

0.19

1.0

最大

1.3

单位

μA

μs

MΩ

栅极 - 源极电阻

开关时间测试电路

(a)

测试电路

(b)

(c)

OUT

2007-11-01

SSM6N04FU

（ Q1 ， Q2常见）

2007-11-01

SSM6N04FU

（ Q1 ， Q2常见）

总评分

2007-11-01

SSM6N04FU

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701 - EN GENERAL

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2007-11-01

SSM6N04FU

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型

SSM6N04FU

高速开关应用

借助内置的栅极 - 源极电阻，R

= 1 MΩ （典型值）。

2.5 V门极驱动

低栅极阈值电压： V

= 0.7~1.3 V

小型封装

单位：mm

最大额定值

（大

25 ° C）（ Q1 ， Q2公用）

特征

漏源电压

栅源电压

直流漏电流

漏极功耗

通道温度

存储温度范围

符号

GSS

（注）

英镑

等级

100

200

150

-55~150

单位

°C

注：总的评价

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-2J1C

重量： 6.8毫克（典型值）。

记号

引脚分配

（ TOP VIEW ）

（ Q1 ， Q2常见）

等效电路

2003-03-28

SSM6N04FU

电气特性

（大

25 ° C）（ Q1 ， Q2公用）

特征

栅极漏电流

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

漏源导通电阻

输入电容

反向传输电容

输出电容

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

符号

GSS

（ BR ） DSS

DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

关闭

测试条件

10 V, V

100

毫安，

20 V, V

3 V，I

0.1毫安

3 V，I

10毫安

10毫安，V

2.5 V

3 V, V

0, f

1兆赫

3 V, V

0, f

1兆赫

3 V, V

0, f

1兆赫

3 V，I

10毫安，V

0~2.5 V

3 V，I

10毫安，V

0~2.5 V

0~10 V

民

0.7

典型值。

11.0

3.3

9.3

0.16

0.19

1.0

最大

1.3

单位

栅极 - 源极电阻

开关时间测试电路

(a)

测试电路

(b)

(c)

OUT

2003-03-28

SSM6N04FU

（ Q1 ， Q2常见）

2003-03-28

SSM6N04FU

（ Q1 ， Q2常见）

总评分

2003-03-28

SSM6N04FU

限制产品使用

000707EAA

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市

文件应在客户自己的风险进行。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为

该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式

任何知识产权或东芝或他人的其他权利。

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

2003-03-28