SMD型
FZT789A
电气特性TA = 25
参数
击穿电压
击穿电压*
击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
饱和电压*
饱和电压*
基射极导通电压*
符号
V
（ BR ） CBO
I
C
=-100ìA
V
（ BR ） CEO
I
C
=-10mA
V
（ BR ） EBO
I
E
=-100ìA
I
CBO
I
EBO
V
CB
=-15V
V
CB
= -15V ，TA = 100
V
EB
=-4V
Testconditons
民
-25
-25
-5
典型值
-40
-35
-8.5
晶体管
最大
单位
V
V
V
-0.1
10
-0.1
-0.15 -0.25
-0.30 -0.45
-0.30 -0.50
-0.8
-0.8
300
250
200
100
100
225
25
35
400
800
-1.0
ìA
ìA
V
V
V
I
C
= -1A ，我
B
=-10mA
V
CE（
SAT ）I
C
= -2A ，我
B
=-20mA
I
C
= -3A ，我
B
=-100mA
V
BE （
SAT ）I
C
= -1A ，我
B
=-10mA
V
BE （上
) I
C
= -1A ，V
CE
=-2V
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V
静态正向电流传输比
h
FE
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -6A ，V
CE
=-2V*
过渡频率
输入电容
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
*脉冲测试： TP = 300 ;
0.02.
f
T
C
IBO
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
I
C
= -50mA ，V
CE
= -5V ， F = 50MHz的
V
EB
= -0.5V ， F = 1MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
= -500mA ，V
CC
=-10V
I
B1
=I
B2
=-50mA
兆赫
pF
pF
ns
ns
记号
记号
FZT789A
2
www.kexin.com.cn
