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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第341页 > FZT789A
SOT223 PNP硅平面介质
功率高增益晶体管
第3期？ 1995年10月
特点
*导通电阻极低的同等学历;
R
CE （ SAT ）
93mΩ在3A
200在I *增益
C
= 2放大器和极低的饱和电压
应用
*电池供电电路，快速充电转换器
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
FZT689B
FZT789A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
FZT789A
C
E
C
B
价值
-25
-25
-5
-6
-3
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
绝对最大额定值。
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
击穿电压
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
集电极截止电流
发射极截止电流
饱和电压
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
-25
-25
-5
-40
-35
-8.5
-0.1
10
-0.1
符号最小值。 TYP 。 MAX 。单位条件。
V
V
V
A
A
A
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
A
V
CB
=-15V
V
CB
= -15V ，T
AMB
=100°C
V
EB
=-4V
I
C
= -1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-20mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -6A ，V
CE
=-2V*
-0.15 -0.25 V
-0.30 -0.45 V
-0.30 -0.50 V
-0.8
-0.8
300
250
200
100
100
225
25
35
400
800
-1.0
V
V
V
BE （ SAT ）
基射
导通电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
兆赫我
C
= -50mA ，V
CE
= -5V ， F = 50MHz的
pF
pF
ns
ns
V
EB
= -0.5V ， F = 1MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
= -500mA ，我
B1
=-50mA
I
B2
= -50mA ，V
CC
=-10V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 246
FZT789A
典型特征
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
I
+
-
集电极电流（安培）
10
0.6
I
C
/I
B
=100
I
C
/I
B
=40
I
C
/I
B
=10
T
AMB
=25°C
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
I
+
-
集电极电流（安培）
10
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=100
- （伏）
V
V
CE （ SAT ）
V I
C
V
- （伏）
V
CE （ SAT ）
V I
C
1.6
1.4
+100°C
+25°C
-55°C
V
CE
=2V
750
1.6
1.4
- 归一化增益
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0
0.01
0.1
1
10
- 典型增益
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=100
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
500
250
h
I
+
-
集电极电流（安培）
h
V
I
+
-
集电极电流（安培）
h
FE
V I
C
V
BE （ SAT ）
V I
C
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
V
CE
=2V
10
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.01
0.1
1
10
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
0.1
V
0.01
0.1
1
10
100
I
+
-
集电极电流（安培）
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3 - 247
SMD型
NPN硅平面介质
功率高增益晶体管
FZT789A
SOT-223
+0.2
6.50
-0.2
晶体管
单位：mm
+0.2
3.50
-0.2
低等效导通电阻;
CE （ SAT ）
93m在3A 。
300在我收获
C
= 2放大器和极低的饱和电压。
+0.1
3.00
-0.1
+0.2
0.90
-0.2
+0.3
7.00
-0.3
4
1
2
2.9
4.6
3
+0.1
0.70
-0.1
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j,
T
英镑
等级
-25
-25
-5
-6
-3
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
+0.15
1.65
-0.15
特点
0
.1max
+0.05
0.90
-0.05
www.kexin.com.cn
1
SMD型
FZT789A
电气特性TA = 25
参数
击穿电压
击穿电压*
击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
饱和电压*
饱和电压*
基射极导通电压*
符号
V
（ BR ） CBO
I
C
=-100ìA
V
（ BR ） CEO
I
C
=-10mA
V
（ BR ） EBO
I
E
=-100ìA
I
CBO
I
EBO
V
CB
=-15V
V
CB
= -15V ，TA = 100
V
EB
=-4V
Testconditons
民
-25
-25
-5
典型值
-40
-35
-8.5
晶体管
最大
单位
V
V
V
-0.1
10
-0.1
-0.15 -0.25
-0.30 -0.45
-0.30 -0.50
-0.8
-0.8
300
250
200
100
100
225
25
35
400
800
-1.0
ìA
ìA
V
V
V
I
C
= -1A ，我
B
=-10mA
V
CE（
SAT ）I
C
= -2A ，我
B
=-20mA
I
C
= -3A ，我
B
=-100mA
V
BE （
SAT ）I
C
= -1A ，我
B
=-10mA
V
BE （上
) I
C
= -1A ，V
CE
=-2V
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V
静态正向电流传输比
h
FE
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -6A ，V
CE
=-2V*
过渡频率
输入电容
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
*脉冲测试： TP = 300 ;
0.02.
f
T
C
IBO
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
I
C
= -50mA ，V
CE
= -5V ， F = 50MHz的
V
EB
= -0.5V ， F = 1MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
= -500mA ，V
CC
=-10V
I
B1
=I
B2
=-50mA
兆赫
pF
pF
ns
ns
记号
记号
FZT789A
2
www.kexin.com.cn
SOT223 PNP硅平面介质
功率高增益晶体管
第3期？ 1995年10月
特点
*导通电阻极低的同等学历;
R
CE （ SAT ）
93mΩ在3A
200在I *增益
C
= 2放大器和极低的饱和电压
应用
*电池供电电路，快速充电转换器
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
FZT689B
FZT789A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
FZT789A
C
E
C
B
价值
-25
-25
-5
-6
-3
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
绝对最大额定值。
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
击穿电压
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
集电极截止电流
发射极截止电流
饱和电压
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
-25
-25
-5
-40
-35
-8.5
-0.1
10
-0.1
符号最小值。 TYP 。 MAX 。单位条件。
V
V
V
A
A
A
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
A
V
CB
=-15V
V
CB
= -15V ，T
AMB
=100°C
V
EB
=-4V
I
C
= -1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-20mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -6A ，V
CE
=-2V*
-0.15 -0.25 V
-0.30 -0.45 V
-0.30 -0.50 V
-0.8
-0.8
300
250
200
100
100
225
25
35
400
800
-1.0
V
V
V
BE （ SAT ）
基射
导通电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
兆赫我
C
= -50mA ，V
CE
= -5V ， F = 50MHz的
pF
pF
ns
ns
V
EB
= -0.5V ， F = 1MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
= -500mA ，我
B1
=-50mA
I
B2
= -50mA ，V
CC
=-10V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 246
FZT789A
典型特征
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
I
+
-
集电极电流（安培）
10
0.6
I
C
/I
B
=100
I
C
/I
B
=40
I
C
/I
B
=10
T
AMB
=25°C
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
I
+
-
集电极电流（安培）
10
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=100
- （伏）
V
V
CE （ SAT ）
V I
C
V
- （伏）
V
CE （ SAT ）
V I
C
1.6
1.4
+100°C
+25°C
-55°C
V
CE
=2V
750
1.6
1.4
- 归一化增益
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0
0.01
0.1
1
10
- 典型增益
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=100
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
500
250
h
I
+
-
集电极电流（安培）
h
V
I
+
-
集电极电流（安培）
h
FE
V I
C
V
BE （ SAT ）
V I
C
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
V
CE
=2V
10
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.01
0.1
1
10
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
0.1
V
0.01
0.1
1
10
100
I
+
-
集电极电流（安培）
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3 - 247
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
FZT789A
SOT-223
+0.2
6.50
-0.2
单位：mm
+0.2
3.50
-0.2
低等效导通电阻;
CE （ SAT ）
93m在3A 。
300在我收获
C
= 2放大器和极低的饱和电压。
+0.1
3.00
-0.1
+0.2
0.90
-0.2
+0.3
7.00
-0.3
4
1
2
2.9
4.6
3
+0.1
0.70
-0.1
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j,
T
英镑
等级
-25
-25
-5
-6
-3
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
+0.15
1.65
-0.15
特点
0
.1max
+0.05
0.90
-0.05
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
电气特性TA = 25
参数
击穿电压
击穿电压*
击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
饱和电压*
饱和电压*
基射极导通电压*
符号
V
（ BR ） CBO
I
C
=-100ìA
V
（ BR ） CEO
I
C
=-10mA
V
（ BR ） EBO
I
E
=-100ìA
I
CBO
I
EBO
V
CB
=-15V
V
CB
= -15V ，TA = 100
V
EB
=-4V
Testconditons
民
-25
-25
-5
典型值
-40
-35
-8.5
FZT789A
最大
单位
V
V
V
-0.1
10
-0.1
-0.15 -0.25
-0.30 -0.45
-0.30 -0.50
-0.8
-0.8
300
250
200
100
100
225
25
35
400
兆赫
pF
pF
ns
ns
800
-1.0
ìA
ìA
V
V
V
I
C
= -1A ，我
B
=-10mA
V
CE（
SAT ）I
C
= -2A ，我
B
=-20mA
I
C
= -3A ，我
B
=-100mA
V
BE （
SAT ）I
C
= -1A ，我
B
=-10mA
V
BE （上
) I
C
= -1A ，V
CE
=-2V
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V
静态正向电流传输比
h
FE
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V*
I
C
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CE
=-2V*
过渡频率
输入电容
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
*脉冲测试： TP = 300 ;
0.02.
f
T
C
IBO
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
I
C
= -50mA ，V
CE
= -5V ， F = 50MHz的
V
EB
= -0.5V ， F = 1MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
= -500mA ，V
CC
=-10V
I
B1
=I
B2
=-50mA
记号
记号
FZT789A
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
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FTSH-105-04-L-DV-A
FBR244NG00502CT
FYS-8011DX-4
FH23-17S-0.3SHW
FAD1-06025BHMW12
FX5545G0063V4B5E2
FA7630CE
F180C52-16
FM33256
FMC141501-01
F64301
FS10SMJ2
FSL23A0R
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FZT789A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2481682028 复制 点击这里给我发消息 QQ：936045363 复制

电话：13424184668
联系人：肖佳欣
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