SOT223 NPN硅平面
中功率晶体管
第3期？ 1995年2月
特点
*低饱和电压
互补式 - FZT757
FZT657
C
E
PARTMARKING详细信息 - FZT657
B
C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
符号最小值。
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
300
300
5
0.1
0.1
0.5
1.0
1.0
40
50
30
20
兆赫
pF
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
典型值。
马克斯。
价值
300
300
5
1
0.5
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
条件。
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=200V
V
EB
=3V
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=20V
f=20MHz
V
CB
= 20V ， F = 1MHz的
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿V
（ BR ） EBO
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
输出电容
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
敖包
V
V
V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
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