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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第172页 > FZT657
SOT223 NPN硅平面
中功率晶体管
第3期？ 1995年2月
特点
*低饱和电压
互补式 - FZT757
FZT657
C
E
PARTMARKING详细信息 - FZT657
B
C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
符号最小值。
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
300
300
5
0.1
0.1
0.5
1.0
1.0
40
50
30
20
兆赫
pF
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
典型值。
马克斯。
价值
300
300
5
1
0.5
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
条件。
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=200V
V
EB
=3V
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=20V
f=20MHz
V
CB
= 20V ， F = 1MHz的
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿V
（ BR ） EBO
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
输出电容
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
敖包
V
V
V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 213
FZT657
典型特征
1.8
1.6
100
- 归一化增益（％）
1.4
80
V
CE
=5V
60
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
I
C
/I
B
=10
40
V
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
20
h
0
0.01
0.1
1
10
I
+
-
集电极电流（安培）
I
+
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
h
FE
V I
C
1.2
I
C
/I
B
=10
1.2
V
CE
=5V
1.0
- （伏）
0.8
- （伏）
V
1.0
0.8
V
0.6
0.6
0.4
0.01
0.1
1
10
0.4
0.01
0.1
1
10
I
+
-
集电极电流（安培）
I
+
-
集电极电流（安培）
V
BE （ SAT ）
V I
C
1
单脉冲牛逼
美国东部时间在T
AMB
=25°C
td
tr
tf
s
1.4
ts
V
BE（上）
V I
C
I
B1
=I
B2
=I
C
/10
V
CE
=10V
ts
s
0.1
1.2
3
开关时间
1.0
0.01
DC
100ms
10ms
1ms
300
s
0.8
tf
0.6
2
0.4
td
0.2
tr
1
0.001
0
0
0.1
1
1
10
100
1000
0.01
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
I
+
-
集电极电流（安培）
安全工作区
3 - 214
转换速度
SOT223 NPN硅平面
中功率晶体管
第3期？ 1995年2月
特点
*低饱和电压
互补式 - FZT757
FZT657
C
E
PARTMARKING详细信息 - FZT657
B
C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
符号最小值。
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
300
300
5
0.1
0.1
0.5
1.0
1.0
40
50
30
20
兆赫
pF
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
典型值。
马克斯。
价值
300
300
5
1
0.5
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
条件。
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=200V
V
EB
=3V
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=20V
f=20MHz
V
CB
= 20V ， F = 1MHz的
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿V
（ BR ） EBO
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
输出电容
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
敖包
V
V
V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 213
FZT657
典型特征
1.8
1.6
100
- 归一化增益（％）
1.4
80
V
CE
=5V
60
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
I
C
/I
B
=10
40
V
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
20
h
0
0.01
0.1
1
10
I
+
-
集电极电流（安培）
I
+
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
h
FE
V I
C
1.2
I
C
/I
B
=10
1.2
V
CE
=5V
1.0
- （伏）
0.8
- （伏）
V
1.0
0.8
V
0.6
0.6
0.4
0.01
0.1
1
10
0.4
0.01
0.1
1
10
I
+
-
集电极电流（安培）
I
+
-
集电极电流（安培）
V
BE （ SAT ）
V I
C
1
单脉冲牛逼
美国东部时间在T
AMB
=25°C
td
tr
tf
s
1.4
ts
V
BE（上）
V I
C
I
B1
=I
B2
=I
C
/10
V
CE
=10V
ts
s
0.1
1.2
3
开关时间
1.0
0.01
DC
100ms
10ms
1ms
300
s
0.8
tf
0.6
2
0.4
td
0.2
tr
1
0.001
0
0
0.1
1
1
10
100
1000
0.01
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
I
+
-
集电极电流（安培）
安全工作区
3 - 214
转换速度
SMD型
晶体管
NPN硅平面中功率晶体管
FZT657
SOT-223
+0.2
6.50
-0.2
单位：mm
+0.2
3.50
-0.2
0
.1max
+0.05
0.90
-0.05
特点
低饱和电压
+0.1
3.00
-0.1
+0.2
0.90
-0.2
+0.3
7.00
-0.3
4
1 BASE
1
2
2.9
4.6
3
0.70
+0.1
-0.1
2个集热器
3发射器
4珍藏
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
等级
300
300
5
1
0.5
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
敖包
Testconditons
I
C
=100ìA
I
C
=10mA*
I
E
=100ìA
V
CB
=200V
V
EB
=3V
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=20V,f=20MHz
V
CB
= 20V ， F = 1MHz的
40
50
30
20
兆赫
pF
民
300
300
5
0.1
0.1
0.5
1.0
1.0
典型值。
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
V
V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300ìs 。占空比2 ％
记号
记号
FZT657
+0.15
1.65
-0.15
www.kexin.com.cn
1
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
FZT657
SOT-223
+0.2
6.50
-0.2
单位：mm
+0.2
3.50
-0.2
0
.1max
+0.05
0.90
-0.05
特点
低饱和电压
+0.1
3.00
-0.1
+0.2
0.90
-0.2
+0.3
7.00
-0.3
4
1 BASE
1
2
2.9
4.6
3
0.70
+0.1
-0.1
2个集热器
3发射器
4珍藏
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
等级
300
300
5
1
0.5
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
敖包
Testconditons
I
C
=100ìA
I
C
=10mA*
I
E
=100ìA
V
CB
=200V
V
EB
=3V
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=20V,f=20MHz
V
CB
= 20V ， F = 1MHz的
40
50
30
20
兆赫
pF
民
300
300
5
0.1
0.1
0.5
1.0
1.0
典型值。
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
V
V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300ìs 。占空比2 ％
记号
记号
FZT657
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
+0.15
1.65
-0.15
1 1
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FCN-247R020-A
FRS12W
FAN7383M
FMER-G92V-S057
FECL250
FYS-10011CX-2
FXL5T244
FAN2503S25X
F931A686MCC
FB875NP-8R2M
FDC92C39BLJP
FST7335L
FR34
FBR163SCD014UHB-CSA-S
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FZT657
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2481682028 复制 点击这里给我发消息 QQ：936045363 复制

电话：13424184668
联系人：肖佳欣
地址：广东省深圳市福田区深南中路华强电子世界
FZT657
ZETEX
24+
8000000
SMD
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
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电话：0755-83209630 82519391
联系人：许小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
FZT657
ZETEX
24+
11880
SOT-223
优势现货，只做原装正品
深圳市向鸿伟业电子有限公司
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电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
FZT657
ZETZX
2413+
24355
SOT-223
原装正品假一罚百/门市现货一只起售
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
FZT657
GC
2443+
23000
SOT223
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
FZT657
DIODES
24+
18650
TO-223
全新原装现货，原厂代理。
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
FZT657
DIODES
21+22+
62710
TO-223
原装正品
深圳市芯福林电子科技有限公司
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电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
FZT657
DIODES
19+
22
原装正品，支持实单
深圳市毅创腾电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2355507163 复制 点击这里给我发消息 QQ：2355507165 复制

电话：755-83616256 // 83210909
联系人：王小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室（亚太地区XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿特拉）专业分销商！)
FZT657
ZETEX
22+
37500
SOT-223
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
FZT657
ZETEX
25+
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电话：755-83252273
联系人：郑
地址：中航路新亚洲二期N3D039
FZT657
ZETZX
24+
90000
SOT-223
绝对全新原装/自己库存现货
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