订购数量： EN8989
FTS2057
三洋半导体
数据表
FTS2057
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
导通电阻RDS （ ON） 1 = 96米
Ω
（典型值）。
输入电容西塞= 1030pF （典型值）。
4V DRIVE
在保护二极管
无卤合规
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
当安装在陶瓷基体（ 2000毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
100
±20
3
12
1.3
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7006A-009
0.95
3.0
8
5
0.5
0.125
产品&包装信息
包
： TSSOP8
JEITA ， JEDEC
:-
最小包装数量： 3000个/卷。
包装类型： TL
记号
LOT号
6.4
4.5
TL
S2057
1
0.95
4
0.25
0.65
0.05 1.0
1 ：排水
2 ：源
3 ：源
4 ：门
5 ：无联系
6 ：无联系
7 ：无联系
8 ：排水
三洋： TSSOP8
电气连接
1, 8
0.425
4
2, 3
http://semicon.sanyo.com/en/network
82411PE TKIM TC- 00002632 No.8989-1 / 4
