位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第155页 > SAA16M8YX6XR4TL > SAA16M8YX6XR4TL PDF资料 > SAA16M8YX6XR4TL PDF资料2第8页
128MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
电气特性和推荐AC工作条件下，
（续）
AC特性
参数
DQS写序言
DQS写序言建立时间
DQS写后同步
写恢复时间
内部写读命令延迟
数据有效输出窗口
刷新以刷新命令间隔
平均周期刷新间隔
终止电压延迟到VDD
退出自刷新非读命令
（仅适用于部分数R ）
退出自刷新，以读取命令
（仅适用于部分数R ）
-75
符号
WPRE
t
WPRES
t
WPST
t
WR
t
WTR
na
t
REFC
t
REFI
t
VTD
t
XSNR
t
t
-8
民
最大
单位
t
民
最大
笔记
20, 21
19
0.25
0
0.4
0.6
15
1
tQH - TDQSQ
140.6
15.6
0
75
200
0.25
0
0.4
0.6
15
1
tQH - TDQSQ
140.6
15.6
0
80
200
CK
ns
t
CK
ns
t
CK
ns
μs
μs
ns
ns
t
25
23
23
XSRD
CK
PDF ： 09005aef80505d1b /来源： 09005aef80469e44
128MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
冯： 2004年11月23日
8
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