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128MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
电容（ X4，X8 ）
（25℃ <牛逼
A
< + 70°C ; V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V ，V
DD
= +2.5V ±0.2V)
参数
三角洲输入/输出电容：的DQ ， DQS ， DM
三角洲输入电容：命令和地址
三角洲输入电容： CK ， CK ＃
三角洲输入电容：的DQ ， DQS ， DM
输入电容：命令和地址
输入电容： CK ， CK ＃
输入电容： CKE
符号
DC
IO
DC
I
1
DC
I
2
C
IO
C
I
1
C
I
2
C
I
3
民
--
--
--
4.0
2.0
2.0
2.0
最大
0.50
0.50
0.25
5.0
3.0
3.0
3.0
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
笔记
24
29
29
I
DD
规格和条件（ X4，X8 ）
（25℃ <牛逼
A
< + 70°C ; V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V ，V
DD
= +2.5V ±0.2V)
参数/条件
工作电流：一家银行;主动预充电;
t
RC =
t
RC （ MIN ） ;
t
CK -
t
CK （MIN） ; DQ ， DM和DQS输入每个时钟改变一次
周期;地址和控制输入的变化的每两个时钟周期;
工作电流：一家银行;主动读预充电;突发= 2;
t
RC =
t
RC （ MIN ） ;
t
CK -
t
CK （MIN） ;我
OUT
= 0毫安;地址和控制
输入每个时钟周期改变一次
预充电掉电待机电流：所有银行闲置;
掉电模式;
t
CK -
t
CK （MIN） ; CKE =低;
空闲待机CURRENNT ： CS ＃ =高;所有银行闲置;
t
CK -
t
CK
（MIN） ; CKE =高;地址和其它控制输入改变每一次
时钟周期。 V
IN
= V
REF
对DQ ， DQS ，和DM
ACTIVE POWER- DOWN待机电流：一是银行主动;
掉电模式;
t
CK -
t
CK （MIN） ; CKE =低
主动待机电流： CS ＃ =高; CKE =高;一家银行;
主动预充电;
t
RC =
t
RAS （MAX） ;
t
CK -
t
CK （MIN） ; DQ ， DM和
DQS输入每个时钟周期改变的两倍;地址和其他控制
输入每个时钟周期变化一次。
工作电流：胸围= 2 ;读取;可连拍;一家银行
活跃;地址和控制输入，每个时钟周期改变一次;
t
CK -
t
CK （MIN） ;我
OUT
= 0毫安
工作电流：胸围= 2 ;写;可连拍;一家银行
活跃;地址和控制输入，每个时钟周期改变一次;
t
CK -
t
CK （MIN） ; DQ ， DM和DQS输入每个时钟周期改变的两倍
t
自动刷新当前
RC = tRFC （ MIN ）
自刷新电流（部件号'R'只）
工作电流：四大行交错读取（ BL = 4）
自动预充电，
t
RC =
t
RC （ MIN ） ;
t
CK -
t
RC （ MIN ） ;地址和控制
输入过程中主动，只读改变，或写命令。
符号
I
DD
0
-75
105
-8
100
单位
mA
笔记
22, 48
I
DD
1
120
115
mA
22, 48
I
DD
2
P
I
DD
2
N
10
50
10
45
mA
mA
23, 32,
50
51
I
DD
3
P
I
DD
3
N
18
50
18
45
mA
mA
23, 32,
50
22
I
DD
4
R
120
110
mA
22, 48
I
DD
4
W
120
110
mA
22
I
DD
5
I
DD
7
I
DD
8
250
2
330
225
2
285
mA
mA
mA
22, 50
11
22, 49
PDF ： 09005aef80505d1b /来源： 09005aef80469e44
128MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
冯： 2004年11月23日
5
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