TR我路TECHNOL术，我NC 。 - TECHNI CAL信息
R
L
= 6
5 P出= 25W /通道
FE T的= FQP13N10
2
F = 1K赫兹
1 BB M = 40ns的
V
S
= +40V
0.5
BW = 22Hz - 22K赫兹
0.2
%
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
20
50
100
200
500
Hz
1k
10
THD + N与频率与摹吃电阻
R
G
= 22
R
G
= 33
R
G
= 46.4
%
R
L
= 8
P出= 20W /通道
2 FE T的= FQP 13N10
F = 1kHz时
1 B B M = 40ns的
0.5 V
S
= +40V
B W = 22Hz - 22kHz的
0.2
5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
10
THD + N与频率与门 esistance
R
G
= 22
R
G
= 33
R
G
= 46.4
2k
5k
10k 20k
0.001
20
50
100
200
500
Hz
1k
2k
5k
10k 20k
6欧姆和8欧姆的情节THD + N与频率的不同栅极电阻值
6欧姆
18mA
20mA
80mA
8欧姆
18mA
20mA
80mA
22欧姆
33欧姆
46.4欧姆
表2 ：待机电流消耗为VPP与各栅极电阻值
应用信息 - 推荐的MOSFET
产品型号
IRF520N
FQP13N10
STP14NF10
IRF530N
BUK7575-100A
STP24NF10
推荐最多
电源电压
+/-45V
+/-45V
+/-45V
+/-45V
+/-45V
+/-45V
典型负载时
最大电源
8欧姆SE
6欧姆SE
6欧姆SE
4欧姆SE / 8欧姆BR
4欧姆SE / 6欧姆BR
4欧姆SE / 6欧姆BR
推荐
栅极电阻
22欧姆
33欧姆
33欧姆
15欧姆
15欧姆
10欧姆
其他应用程序
只为8欧姆负载SE
6欧姆BR在+ / 25V
8欧姆BR在+/- 33V
6欧姆BR在+/- 25V
8欧姆BR在+/- 33V
6欧姆BR在+/- 33V
4欧姆BR在+/- 33V
4欧姆BR在+/- 35V
SE表示单端输出和BR代表桥输出
在MOSFET的评价
下面的MOSFET似乎是适合与TK2150使用，这样我们正在等待
样品评估。大多数这些装置的来自同一个“家庭”或产生，作为其他
推荐的MOSFET。然而，经验告诉我们，我们不能推荐任何设备
直到我们收到样品和经过充分测试他们。
设备信息 - 在MOSFET的评价
产品型号
FQP14N15
FQP16N15
FDP2572
FDP3682
生产厂家
飞兆半导体
飞兆半导体
飞兆半导体
飞兆半导体
BV
DSS
(V)
150
150
150
100
I
D
(A)
14.4
16.4
29
32
Q
g
（ NC ）
18
23
27
18.5
R
DS （ ON）
(
)
.164
0.123
0.045
0.032
P
D
(W)
104
108
135
95
包
T0220
TO220
TO247
TO220
注：本设备列在提升电流能力不是为了推荐。
输出滤波器的设计
还在Tripath放大器以上的PWM方案的一个优点是使用高cutoff-的能力
频率滤波器。这意味着负载相关峰/下垂在20kHz的声音频带中的潜在
引起的滤光器，可以忽略不计。这是为应用程序，其中特别重要的
用户可以选择一个6欧姆或8欧姆的扬声器。此外，扬声器不是纯阻性
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TK2150 - 修订版1.0 / 12.02
