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仅吸收电流到调节器输出和将没有能力采购所需的电流的
通过VN10 。此外，可能会出现问题，因为VN10不会VNN跟踪运动。该
外部VN10供给必须能够最大为250mA源进VN10销。因此，一个
正电源必须使用并且必须被引用到的VNN轨。如果外部VN10
供应中不VNN供给跟踪波动或不能输出电流成VN10
引脚时， TP2150将无法正常工作，也可以成为永久性损坏。
图7显示的TP2150电源的正确方法：
VPP
V5
5V
保护地
VNN
10V
VNN
F.珠
AGND
VN10
VPP
图7 ：正确的电源连接
输出晶体管的选择
关键的参数选择MOSFET与TK2150使用什么漏极时要考虑
源极击穿电压（ BVDSS ） ，栅极电荷（Qg ）和导通电阻（R
DS （ ON）
).
需要MOSFET的BVDSS额定值将被选择，以适应电压摆动
V之间
SPOS
和V
SNEG
以及引起的电压振荡的任何电压的峰值是由于
开关瞬变。用“好”的电路板布局，一个BVDSS是比VPP的高50％
和VNN电压摆幅是一个合理的起点。 BVDSS额定值应核实
测量经历了由在最终电路中的MOSFET上的实际电压。
理想的情况是低的Qg （总栅极电荷）和低R
DS （ ON）
期望的最佳放大器
性能。不幸的是，这些是由于R相互矛盾的要求
DS （ ON）
是成反比
成比例的Qg为一个典型的MOSFET 。设计权衡成本与性能之一。
较低的
DS （ ON）
意味着更低的我
2
R
DS （ ON）
损失，但相关的更高的Qg转化为更高
开关损耗（损耗=的Qg ×10× 1.2MHz的） 。较低的
DS （ ON）
还意味着更大的硅芯片
和更高的成本。一个较高的R
DS （ ON）
意味着更低的成本和更低的开关损耗，但更高的本人
2
R
DSON
损失。
栅极电阻的选择
栅极电阻，R
G
，用来控制MOSFET开关的上升/下降时间，从而
尽量减少电压过冲。它们也消耗的功率的一部分由移动产生的
栅极MOSFET的切换，每次充电。若R
G
太小，过度的热可
在驱动程序生成的。大的栅极电阻会导致较慢的MOSFET开关，这需要一个
更大的突破前先（ BBM ）的延迟。
突破前先（ BBM ）规控制
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TK2150 - 修订版1.0 / 12.02
