TR我路TECHNOL术，我NC 。 - TECHNI CAL信息
在TP2150的MOSFET驱动器从VN10获得的电压下运行，并
LO1COM为低侧驱动器，并且VBOOT1和HO1COM的高边驱动器。 VN10绝
是调节10V以上VNN 。
N沟道MOSFET被用于同时在顶部和半桥的底部。栅极电阻，
R
G
，用来控制MOSFET的压摆率，从而减少电压过冲。
电路板布局
该TK2150是一个工作在相对高的开关电源（高电流）放大器
频率。在高速行驶时的VPP和VNN之间的放大器的输出切换
驱动大电流。该高频数字信号通过LC低通滤波器
恢复被放大的音频信号。由于放大器必须驱动感应LC输出滤波器
和扬声器的负载，放大器输出可高于电源电压和低于拉
接地通过在输出电感中的能量。为了避免使该TK2150潜在
破坏性的电压应力，它是具有良好的印刷电路板布局的关键。这是
建议还在Tripath的布局和应用电路可以用于所有应用程序和仅是
在经过仔细分析的任何变化的影响偏离。请参考TK2150
评估板文档， RB- TK2150 ，可用还在Tripath网站，在www.tripath.com 。
该顶侧输出MOSFET的源极连接到所述底侧的漏跟踪
输出MOSFET是非常重要的。这种连接应该是尽可能宽和短
成为可能。还的16号或更大的跳线可以通过使用平行光迹
减少任何走线电阻或电感。在此跟踪的任何电阻或电感会引起
开关输出过/欠有可能造成损害的同时TP2150和
输出MOSFET 。
以下组件是重要的附近或者其关联TK2150或输出的地方
MOSFET的管脚。这些建议是按顺序排列的布局的重要性，无论是适当的
设备的操作或性能方面的考虑。
-
电容器，C
HBR ，
提供放大器电源的高频旁路
并且，将有助于减少整个电源轨尖峰。请注意，这两个MOSFET的
半桥必须单独分离。此外，电压等级对C
HBR
至少应为150V作为此电容器暴露在满电源电压范围， VPP - VNN 。
C
FB
来自放大器的反馈信号去除非常高的频率分量和
降低输出通过延迟反馈信号的开关频率。此外，
C的值
FB
对于信道1和信道2的不同，以保持平均开关
频差大于40kHz的。这最小化了在带内声频噪声。定位
这些电容尽量靠近它们各自的TC2001引脚越好。
D
D
和D
S
应尽可能地靠近输出MOSFET的于漏极和源极
成为可能。
D
应该直接从顶侧MOSFET的到漏极连接的
底侧MOSFET的漏极。
S
应该直接从源极连接
的顶侧的MOSFET ，以底侧MOSFET的源极。
D
保护
从底部输出端输出MOSFET上/下冲。
S
保护顶侧
从输出输出MOSFET上/下冲。上/下冲都非常高
快速瞬变，当D
D
和D
S
从MOSFET的他们将放置太远
无效的。
为了最大限度地减少噪声干扰，尽量减少THD + N，R
FBC
应位于尽可能靠近
TC2001越好。确保高电压反馈线的路由选择是
保持远离输入运算放大器或显著噪声耦合，可能会发生。最好是
通过围绕这些痕迹地平面屏蔽高电压反馈线
以及输入部分。反馈和反馈地上的痕迹应该是
改为并联在一起。
C
B
, C
SW
提供高频旁路为VN10和自举电源。很
高电流存在于这些物资。
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TK2150 - 修订版1.0 / 12.02
