TR我路TECHNOL术，我NC 。 - TECHNI CAL我n对于米ATI上
R
VPP1
R
VPP2
R
S
R
OCR
C
OCR
C
HBR
R
G
D
G
C
Z
R
Z
L
O
电阻值应该是3倍的R的
VNN1
。请参考过/欠压
为详细讨论了应用信息电压保护部分
内部电路的操作和外部组件的选择。
主要的过压和欠压检测电阻器的正电源（ VPP ） 。
请参阅电气特性部分为触发点，以及该
滞后带。另外，请参阅在过/欠压保护部分
作内部电路的操作的详细讨论，该应用程序信息
和外部组件的选择。
二次过压和欠压检测电阻器的正电源
（VPP） 。这个电阻占内部V
PPSENSE
偏置为2.5V 。公称
电阻值应等于在于R的
VPP1
。请参考过/欠压
为详细讨论了应用信息电压保护部分
内部电路的操作和外部组件的选择。
过电流检测电阻。请参考部，设置过电流
阈值时，应用信息中对如何选择价值的讨论
的R
S
以获得一个特定的电流限制跳闸点。
过电流“修剪”电阻器，其中，在连接R
S
，设置当前触发点。
请参阅部分，设置过流阈值，在应用程序
对于如何计算R值的讨论信息
OCR
.
过电流的滤波电容，这在OCR引脚过滤过电流信号
帐户为半波整流的电流检测电路内部的TC2001 。一
此组件的典型值为220PF 。此外，该组件应
位于销14或TC2001尽可能的销16 。
电源去耦的高电流半桥电源引脚。这些组件
必须尽可能靠近输出MOSFET ，以尽量减少输出
振铃导致电源过冲。通过减少超调，这些
电容最大程度地提高了TP2150和输出MOSFET的可靠性。这些
电容应具有良好的高频性能，包括低ESR和
低ESL 。此外，该电容器的电容值必须是最大的VPP电压的两倍。
松下EB电容是理想的大容量存储（通常为33uF ） ，由于其
高纹波电流，高频率的设计。
栅极电阻器，它是用来控制MOSFET的上升/下降时间。这个电阻
用来抑制寄生在MOSFET的栅极，其中，反过来，最小化
振铃和输出过冲。典型的额定功率为1/2瓦。
门二极管，放置在平行于栅电阻。该二极管将有助于排出
寄生电容在MOSFET的栅极，从而增加了MOSFET的下降时间。
这有助于通过顶面和底面之间的输出电流降低拍摄
的MOSFET。这应该是一个肖特基或超快整流器。这部分可能不
根据所使用的输出MOSFET的类型需要的。
佐贝尔电容器，其连接R
Z
，终止于高输出滤波器
频率。使用高品质的薄膜电容器能承受的纹波电流
所造成的开关输出。
佐贝尔电阻器，这在用C一起
Z
，终止于高输出滤波器
频率。 R的组合
Z
和C
Z
最大限度地减少了输出滤波的峰值
下都没有负载条件下或与现实世界的负载，包括扩音器哪个
通常表现出上升的阻抗随着频率的增加。根据不同的
节目素材中，R的额定功率
Z
可能需要进行调整。典型的
额定功率为2瓦。
输出电感，这在用C结合
O
解调器（过滤器）的开关
波形转换成音频信号。形成第二阶滤波器的截止频率
of
f
C
=
1 ( 2
π
L
O
C
O
)
和的一个品质因数
Q
=
R
L
C
O
L
O
C
O
.
输出电容器，其在用L-结合
O
解调器（过滤器）的开关
波形转换成音频信号。形成了一个二阶低通滤波器的截止
频率
f
C
=
1 ( 2
π
L
O
C
O
)
和的一个品质因数
Q
=
R
L
C
O
L
O
C
O
.
利用
高品质的薄膜电容器能够维持所引起的纹波电流的
开关量输出。
C
O
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TK2150 - 修订版1.0 / 12.02
