AN-6069
应用说明
对于一个实际的例子中，栅极 - 源极电压相对于总
栅极电荷从仙童FCP20N60转载
图4.功率MOSFET数据表中的曲线
使用测试电路，其驱动的栅极产生的
被测设备（ DUT）的具有小电流源
3毫安。在本实施例中，栅极电荷所需的到达
3V的阈值电压约为7nC 。充电
在间隔t2 ，Q所需
GS2
被发现为14nC - 7nC
= 7nC 。在时间间隔t3时， Q的值
GD
被发现是Q
GD
=
46nC - 14nC = 32nC 。 Q在这个典型的案例，效果
GD
对开关损耗比更显著
从Q产生的贡献
GS2
.
V
DD
V
GS
V
PL
V
TH
I
L
I
DS
FCP20N60
V
o
V
DS
I
G
t1
t2
t3
t4
-I
PL
-I
PK
t5
图5中。
时间
t6
t7
t8
图4中。
V
GS
与Q
g
对于FCP20N60
MOSFET关闭感性负载
随着V
GS
在最终的驱动电平，对于Q值
G，总
是已知的。
您的偏置电源所需的平均电流：
I
DD
=
Q
G
f
SW
(6)
在T5的时间间隔，我
G
上升到放电V
GS
从V
DD
对
由（2）定义的平台水平。在T6的时间间隔，V
GS
遗体
在高原的电压，而V
DS
上升到断开状态的电压。
T6的时间间隔持续近似为一个时间：
其中f
sw
是功率级的开关频率。
与已知的平均电流的要求，输入
电源从V画
DD
偏压电源，可以发现如下：
t 6
=
t
VDS ，上升
=
Q
GD
I
G
(8)
P
dr
=
V
DD
I
DD
=
V
DD
Q
G
f
SW
(7)
该电路的波形，并在电感电流路径
负载关闭类似于那些用于导通，但在采取
相反的顺序进行。为简便起见，该电路的波形是
如图5所示，但电流路径中未示出。
在t7的时间间隔，则漏极电流I
DS
从I的值落在
L
为0，而V
GS
从V瀑布
PL
到V
TH
。这个时间间隔是
由下式给出：
t7
=
t
IDS ，秋天
=
Q
GS,2
I
G
(9)
在T8间隔，V
GS
从阈排出
电压为零。
一个方程与我
G
到转弯时的开关损耗
关间隔由下式给出：
Q
Q
V
×
I
P
SW .OFF
=
在LOAD
(
f
SW
)
GD
+
GS 2
I
2
I
G，T 7
G，T 6
(10)
2007仙童半导体公司
修订版1.0.3 10年1月6日
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