AN-6069
应用说明
该电路的波形的MOSFET导通成
钳位电感性负载中示出了图2中。
在时间t1时，我
G
增加快速充电
的C组合
GS
和C
GD
至栅极的阈值电压
V
TH
通过在图3所示的路径（ a）所示。在此间隔中，
在MOSFET进行无电感电流。
作为间隔t2开始时，MOSFET开始导通电流
在所述线性模式为：
V
DD
V
GS
V
PL
V
TH
I
L
I
DS
I
D
=
g
m
( V
GS
V
TH
)
(1)
通过在图3所示的电流路径（ b）所示。并行
的C组合
GD
和C
GS
从阈值被充电
电压由下式给出一个平台级别
V
PL
=
I
D
+
V
TH
g
m
(2)
V
O
V
DS
I
PK
I
G
I
PL
t1
t2
t3
t4
作为漏电流上升，从零到我
L
. Q
GS2
是电荷
这个过渡过程中需要，可以从所确定的
MOSFET数据表的特性曲线，如图
应用实例在本节后面介绍。 Q
GS2
允许对需要这种过渡时间计算：
t 2
=
t
IDS ，上升
=
Q
GS 2
I
G
(3)
时间
图2中。
MOSFET开启带感性负载
整个T2 ，V
DS
保持在V
OUT
通过二极管D钳制
在t2结束时，在MOSFET导通的全部余
L
当前
和二极管整流。
作为间隔t3的开始，栅极电流流过
C
GD
并且，如图3中的MOSFET通道（c ） 。所有
我
G
用来释放
GD
为V
GS
保持在V
PL
和
V
DS
开始下降与给定的时间段：
图3表示在该有源栅极电流路径
在MOSFET的各个间隔打开-on过程。
t3
=
t
VDS ，秋天
=
Q
GD
I
G
(4)
在间隔T4我
G
流经℃的组合
GS
, C
GD
,
而降低通道电阻R
DS
，如图
图3 （ d）所示。在t4时，栅极 - 源极电压从上升
高原级到V
DD
。这允许确定的
总栅极电荷Q
G，T
到开启MOSFET需要。
作为漏极电流t2和V中上升
DS
T3在下降，
该MOSFET的同步高两端的电压，并
高的电流流过它，所以瞬时功率
可以是非常高的。一个方程与我
G
于切换
区间转弯过程中的损失是：
Q
Q
V
×
I
P
SW ，ON
=
在LOAD
(
f
SW
)
GS2
+
GD
I
2
I
G，T 3
G，T 2
网络连接gure 3 。
当前路径在MOSFET开启
(5)
R
G
代表MOSFET的串联组合
连同任何串联门极电阻的内部栅极电阻。
R
HI
表示驾驶者的内阻，其
在整个开关周期有效值的变化。
如下图所示，驱动电流，我
G
，由下式确定
在参考文献提出了组合信息[1]和[2]。
2007仙童半导体公司
修订版1.0.3 10年1月6日
该方程表示I的大小的重要性
G
相对于开关损耗。不幸的是，有
没有正规方程计算当前可从
定的驱动程序，作为输出电压摆幅在其整个
范围内。经验方法可确定的I值
G
at
不同的驱动器的输出电压电平，并在呈现
部分“评估在台驱动程序”下面。
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