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EN39LV010
表7.直流特性
(T
a
= - 40 ° C至85°C ; V
CC
= 2.7-3.6V)
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
ID
I
ID
V
LKO
注意事项：
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流（读） CMOS
电源电流（待机 - CMOS ）
电源电流（编程或擦除）
自动休眠模式
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压CMOS
A9电压（电子签名）
A9电流（电子签名）
电源电压（擦除和
程序锁定）
测试条件
0V≤ V
IN
≤
VCC
0V≤ V
OUT
≤
VCC
CE＃ = V
IL
; OE ＃ = V
IH
;
F = 5MHz时
CE＃ = VCC ± 0.3V
字节的程序，部门或
芯片擦除正在进行中
V
IH
= VCC ± 0.3 V
V
IL
= VSS ± 0.3 V
民
典型值
最大
±1
±1
单位
A
A
mA
A
mA
A
V
V
V
V
7
1
15
1
-0.5
0.7 x
VCC
12
5.0
30
5.0
0.8
VCC +
0.3
0.45
I
OL
= 4.0毫安
I
OH
= -100
μA,
VCC -
0.4V
10.5
A9 = V
ID
2.3
11.5
100
2.5
V
A
V
1. BYTE ＃引脚也可以GND
± 0.3V 。 BYTE ＃和RESET ＃引脚的输入缓冲器始终启用，使
2.
他们汲取力量，如果不是在全CMOS的电源电压。
最大
I
CC
规格与测试
VCC
=
VCC最大。
B
B
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
20
2003宙硅解决方案公司， www.eonssi.com
版本C ，发行日期： 2011/10/27
