EN39LV010
EN39LV010
1兆位（ 128K ×8位）， 4 KB的统一部门，
CMOS 3.0伏只快闪记忆体
特点
单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏读写
操作适用于电池供电的应用。
- 稳压电压范围： 3.03.6伏读
和写为高性能操作
3.3伏的微处理器。
高性能
- 全电压范围：存取时间快70
ns
为快速存取时间：稳压电压范围 -
如为45nS
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 7毫安典型的读操作工作电流
- 15毫安典型的编程/擦除电流
- 1
μA
典型待机电流（标准访问
时间到活动模式）
灵活的部门架构：
- 三十二个4K字节扇区
部门保护：
部门，以防止硬件锁
程序或在单独的擦除操作
扇区
高性能的编程/擦除速度
- 字节编程时间： 8μs典型
- 扇区擦除时间： 90ms的典型
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准
数据
轮询和触发位
特征
单扇区和芯片擦除
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
阅读或在设置另一个部门
擦除挂起模式
三金属双聚三阱CMOS闪存
技术
VCC低于写入禁止< 2.5V
最低100K的程序/擦除次数
周期
封装选项
- 采用4mm x 6毫米34球WFBGA
- 采用8mm x 14毫米32脚TSOP （类型1）
- 32引脚PLCC
工业温度范围
概述
该EN39LV010是1兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，
组织为131,072字节。任何字节通常可以在8μs.The EN39LV010编程
特征3.0V电压进行读写操作，具有存取时间快，为45nS ，以消除
需要在高性能微处理器系统等待状态。
该EN39LV010有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
）和写使能（ WE）
控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许任何单个扇区
或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止编程/擦除
操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低限度的
100K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
2003宙硅解决方案公司， www.eonssi.com
版本C ，发行日期： 2011/10/27
EN39LV010
连接图
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
2
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版本C ，发行日期： 2011/10/27
EN39LV010
表1.引脚说明
图1.逻辑图
EN39LV010
引脚名称
A0-A16
DQ0-DQ7
WE＃
CE＃
OE ＃
VCC
VSS
功能
地址
8数据输入/输出
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源电压
地
CE＃
OE ＃
WE＃
A0 - A16
DQ0 - DQ7
表2.制服部门架构
扇形
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
01F000h
01E000h
01D000h
01C000h
01B000h
01A000h
019000h
018000h
017000h
016000h
015000h
014000h
013000h
012000h
011000h
010000h
00F000h
00E000h
00D000h
00C000h
00B000h
00A000h
009000h
008000h
007000h
006000h
005000h
004000h
003000h
002000h
001000h
000000h
地址范围
01FFFFh
01EFFFh
01DFFFh
01CFFFh
01BFFFh
01AFFFh
019FFFh
018FFFh
017FFFh
016FFFh
015FFFh
014FFFh
013FFFh
012FFFh
011FFFh
010FFFh
00FFFFh
00EFFFh
00DFFFh
00CFFFh
00BFFFh
00AFFFh
009FFFh
008FFFh
007FFFh
006FFFh
005FFFh
004FFFh
003FFFh
002FFFh
001FFFh
000FFFh
大小（字节）
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
3
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版本C ，发行日期： 2011/10/27
EN39LV010
产品选择指南
产品编号
速度选项
稳压电压范围： VCC = 3.03.6 V
全电压范围： VCC = 2.7 - 3.6 V
-45R
-70
45
45
25
70
70
30
EN39LV010
最大访问时间， NS （T
加
)
最大CE＃访问， NS （T
ce
)
最大OE ＃访问， NS （T
oe
)
框图
VCC
VSS
块保护开关
DQ0-DQ7
擦除电压发生器
状态
控制
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
输入/输出缓冲器
WE＃
命令
注册
CE＃
OE ＃
数据锁存器
y解码器
地址锁存
机顶盒
Y型GATING
VCC探测器
定时器
X解码器
细胞矩阵
A0-A16
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
4
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版本C ，发行日期： 2011/10/27
EN39LV010
表3.操作模式
1M FLASH USER MODE表
手术
读
写
CMOS待机
输出禁用
部门保护
2
扇形
撤消
2
CE＃
L
L
V
cc
±
0.3V
L
L
L
OE ＃
L
H
X
H
H
H
WE＃
H
L
X
H
L
L
A0-A16
A
IN
A
IN
X
X
扇区地址，
A6 = L时， A 1 = H， A 0 = L
扇区地址，
A6 = H ，A = H， A 0 = L
DQ0-DQ7
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
D
IN
, D
OUT
D
IN
, D
OUT
注意事项：
1， L =逻辑低= V
IL
，H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
=11
±
0.5V ， X =无所谓（ L或H，但不浮！ ）
D
IN
=数据，D
OUT
=数据输出，A
IN
=地址
2.扇区保护/解除保护可以通过编程设备来实现。
表4.辨识的装置（自选代码）
1M闪存制造商/设备ID表
A16
to
A14
X
A13
to
A10
X
A5
to
A2
X
描述
生产厂家
ID ：李炎
器件ID
扇形
保护
验证
CE＃
OE ＃
WE＃
A9
2
A8
H
1
A7
A6
A1
A0
DQ7到DQ0
1Ch
L
L
H
V
ID
L
X
L
L
L
7Fh
L
L
H
X
X
V
ID
X
X
L
X
L
H
D5h
01h
L
L
H
SA
X
V
ID
X
X
L
X
H
L
（被保护）
00h
（无保护）
注意：
1. A8 = H ，建议生产检查身份证。如果一个厂商ID读取与A8 = L时，芯片将输出配置
代码7Fh的。
2. A9 = VID仅用于HV A9自选模式。 A9必须
≤
工作电压（ CMOS逻辑电平）的命令自动选择模式。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
5
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EN39LV010
1兆位（ 128K ×8位）， 4 KB的统一部门，
CMOS 3.0伏只快闪记忆体
特点
单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏读写
操作适用于电池供电的应用。
- 稳压电压范围： 3.03.6伏读
和写为高性能操作
3.3伏的微处理器。
高性能
- 全电压范围：存取时间快70
ns
为快速存取时间：稳压电压范围 -
如为45nS
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 7毫安典型的读操作工作电流
- 15毫安典型的编程/擦除电流
- 1
A
典型待机电流（标准访问
时间到活动模式）
灵活的部门架构：
- 三十二个4K字节扇区
部门保护：
部门，以防止硬件锁
程序或在单独的擦除操作
扇区
高性能的编程/擦除速度
- 字节编程时间： 8μs典型
- 扇区擦除时间： 90ms的典型
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准
数据
轮询和触发位
特征
单扇区和芯片擦除
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
阅读或在设置另一个部门
擦除挂起模式
三金属双聚三阱CMOS闪存
技术
VCC低于写入禁止< 2.5V
最低100K的程序/擦除次数
周期
封装选项
- 采用4mm x 6毫米34球WFBGA
- 采用8mm x 14毫米32脚TSOP （类型1）
- 32引脚PLCC
工业温度范围
概述
该EN39LV010是1兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，组织
为131,072字节。任何字节通常可以编程8μs.The EN39LV010功能3.0V
电压读出和写入操作时，与存取时间快，为45nS ，以消除需要等待
国家在高性能微处理器系统。
该EN39LV010有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
）和写使能（ WE）
控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许任何单个扇区
或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止编程/擦除
操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低限度的
100K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
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版本B ，发行日期： 2009/03/16
EN39LV010
连接图
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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表1.引脚说明
图1.逻辑图
EN39LV010
引脚名称
A0-A16
DQ0-DQ7
WE＃
CE＃
OE ＃
VCC
VSS
功能
地址
8数据输入/输出
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源电压
地
CE＃
OE ＃
WE＃
A0 - A16
DQ0 - DQ7
表2.制服部门架构
扇形
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
01F000h
01E000h
01D000h
01C000h
01B000h
01A000h
019000h
018000h
017000h
016000h
015000h
014000h
013000h
012000h
011000h
010000h
00F000h
00E000h
00D000h
00C000h
00B000h
00A000h
009000h
008000h
007000h
006000h
005000h
004000h
003000h
002000h
001000h
000000h
地址范围
01FFFFh
01EFFFh
01DFFFh
01CFFFh
01BFFFh
01AFFFh
019FFFh
018FFFh
017FFFh
016FFFh
015FFFh
014FFFh
013FFFh
012FFFh
011FFFh
010FFFh
00FFFFh
00EFFFh
00DFFFh
00CFFFh
00BFFFh
00AFFFh
009FFFh
008FFFh
007FFFh
006FFFh
005FFFh
004FFFh
003FFFh
002FFFh
001FFFh
000FFFh
大小（字节）
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
3
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EN39LV010
产品选择指南
产品编号
速度选项
稳压电压范围： VCC = 3.03.6 V
全电压范围： VCC = 2.7 - 3.6 V
-45R
-70
45
45
25
70
70
30
EN39LV010
最大访问时间， NS （T
加
)
最大CE＃访问， NS （T
ce
)
最大OE ＃访问， NS （T
oe
)
框图
VCC
VSS
块保护开关
DQ0-DQ7
擦除电压发生器
状态
控制
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
输入/输出缓冲器
WE＃
命令
注册
CE＃
OE ＃
数据锁存器
y解码器
地址锁存
机顶盒
Y型GATING
VCC探测器
定时器
X解码器
细胞矩阵
A0-A16
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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版本B ，发行日期： 2009/03/16
EN39LV010
表3.操作模式
1M FLASH USER MODE表
手术
读
写
CMOS待机
输出禁用
部门保护
扇形
2
撤消
2
CE＃
L
L
V
cc
±
0.3V
L
L
L
OE ＃
L
H
X
H
H
H
WE＃
H
L
X
H
L
L
A0-A16
A
IN
A
IN
X
X
扇区地址，
A6 = L时， A 1 = H， A 0 = L
扇区地址，
A6 = H ，A = H， A 0 = L
DQ0-DQ7
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
D
IN
, D
OUT
D
IN
, D
OUT
注意事项：
1， L =逻辑低= V
IL
，H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
=11
±
0.5V ， X =无所谓（ L或H，但不浮！ ）
D
IN
=数据，D
OUT
=数据输出，A
IN
=地址
2.扇区保护/解除保护可以通过编程设备来实现。
表4.辨识的装置（自选代码）
1M闪存制造商/设备ID表
描述
生产厂家
ID ：李炎
器件ID
扇形
保护
验证
CE＃
OE ＃
WE＃
A16
to
A14
X
A13
to
A10
X
A9
2
A8
H
1
A7
A6
A5
to
A2
X
A1
A0
DQ7到DQ0
1Ch
7Fh
D5h
（被保护）
（无保护）
L
L
H
V
ID
L
X
X
L
L
L
L
L
H
X
X
V
ID
X
L
X
L
H
01h
00h
L
L
H
SA
X
V
ID
X
X
L
X
H
L
注意：
1. A8 = H ，建议生产检查身份证。如果一个厂商ID读取与A8 = L时，芯片将输出
配置代码7Fh的。
2. A9 = VID仅用于HV A9自选模式。 A9必须
≤
工作电压（ CMOS逻辑电平）的命令自动选择模式。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
5
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版本B ，发行日期： 2009/03/16
QQ：2880707522 复制
