IXFH 140N10P
IXFT 140N10P
图。 7.输入上将ittance
250
225
200
90
80
70
图。 8.跨导
150
125
100
75
50
25
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
T
J
= 150
C
25
C
-40
C
g
F小号
- 西门子
175
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
T
J
= -40
C
25
C
150
C
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
300
10
9
250
8
7
V
DS
= 50V
I
D
= 70A
I
G
= 10毫安
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
200
V
的s
- 伏特
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
150
100
50
0
V
S.D。
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全工作区
1000
T
J
= 175
C
T
C
= 25
C
25s
100s
1ms
10ms
RSS
DC
10
图。 11.电容
10000
电容 - 皮法
国际空间站
R
DS （ ON）
极限
1000
I
D
- 安培
40
OSS
100
F = 1MHz的
100
0
5
10
15
20
25
30
35
1
10
100
1000
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
V
S
- 伏特
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,534,343
6,583,505
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
