高级技术信息
PolarHV
TM
HiPerFET
IXFT 140N10P
功率MOSFET
N沟道增强模式
快速内在二极管;额定雪崩
IXFH 140N10P
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
=
=
=
100 V
140 A
Ω
11 mΩ
TO- 247 （ IXFT ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSM
I
D25
I
D（ RMS）
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
TO-247
TO-268
(TO-247)
T
C
= 25°C
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 4
Ω
T
C
= 25°C
600
-55 ... +175
175
-55 ... +150
300
W
°C
°C
°C
°C
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25 ℃175 ℃;
GS
= 1 MΩ
最大额定值
100
100
±20
140
75
300
60
80
2.5
10
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
G
S
D（ TAB ）
G
D
D（ TAB ）
S
TO- 268 （ IXFT ）
特点
国际标准封装
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
6.0
5.0
g
g
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4.0毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 175°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
100
3.0
5.0
±100
25
500
11
9
V
V
nA
μA
μA
mΩ
mΩ
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
V
GS
= 15 V，I
D
= 300 A
脉冲测试，T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
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DS99213(02/04)
