EDJ8232E5MB
自动刷新
刷新命令（REF ）是DDR3 SDRAM芯片的正常操作期间使用。该命令是不
持续性，因此必须刷新每次需要出具。在DDR3 SDRAM需要在一个刷新周期
平均周期间隔tREFI的。当/ CS ， / RAS和/ CAS保持低电平和/ WE高点的上升沿
时钟，该芯片进入一个刷新周期。在SDRAM的所有银行必须在预充电和空闲最少的
预充电时间tRP的（分钟）的刷新命令之前可以应用。刷新寻址由所生成的
内部刷新控制器。这使得地址位刷新命令期间“不关心” 。内部地址
计数器在刷新周期提供的地址。是必需的，一旦这个外部地址总线的无控制
周期开始。当刷新周期已经完成，对SDRAM的所有银行将在预充电的（空闲）
状态。刷新命令和下一个有效的命令，除NOP或DESL之间的延迟，必须大
于或等于所示下图中的最小刷新周期时间tRFC （分钟）。需要注意的是tRFC
时序参数取决于存储密度。
在一般情况下，刷新指令需要被发布给DDR3 SDRAM经常每隔tREFI间隔。以允许
在调度中提高效率和任务之间切换时，在绝对刷新间隔一定的灵活性是
提供的。最多8个刷新命令可以在DDR3 SDRAM的操作过程被推迟，这意味着
这在时间超过一共有8刷新命令没有一点被允许推迟。如果说8刷新
命令被推迟一排，周围刷新命令之间所产生的最大时间间隔为
限于9× tREFI 。可以提前发出最多8个附加的刷新命令（ “拉” ） ，其中每个
减少一个接一个购买需要定期刷新命令的数目。注意，拉入以上
提前8刷新命令不会进一步降低以后需要定期刷新命令的数量，因此
两个周围刷新命令之间所产生的最大间隔被限制为9× tREFI 。在任何给定
时，可以在2 × tREFI发出最多16 REF命令。自刷新模式中可与被输入
最多八个刷新命令被推迟。退出自刷新模式与一个或多个更新后
命令延期，额外的刷新命令可能会被推迟，以致总数
推迟刷新命令（前和后的自刷新）不会超过8 。在自刷新模式时，
的推迟或者被拉入REF指令的数目也不会改变。
T0
/ CK
CK
VIH
T1
T2
T3
CKE
≥
激进党
≥
tRFC
≥
tRFC
命令
PRE
NOP
REF
REF
NOP
任何
命令
刷新命令时序
tREFI
9
×
tREFI
t
tRFC
8
×
REF-命令推迟
推迟刷新命令
tREFI
9
×
tREFI
t
tRFC
8
×
REF -命令拉式
拉动式刷新命令
数据表E1813E40 （版本4.0 ）
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