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EDJ1104BFBG , EDJ1108BFBG
异步ODT模式
异步ODT模式被选择时, DRAM运行在DLL - on模式,但DLL暂时禁用(即冷冻)
在预充电掉电(由MR0位A12 ) 。
如果DLL期间MR0预充电断电禁用预充电掉电模式位A12 。
在异步的ODT定时模式中,内部的ODT命令不延迟附加延迟(AL)相对于所述
外部ODT命令。
在异步ODT模式下,下面的时序参数应用(见图异步ODT计时) :
tAONPD (分) , (最大) , tAOFPD (分) , (最大)
RTT最小导通时间( tAONPD (分) )在时间点时,设备终端电路叶高
阻抗状态和ODT电阻将开始导通。 RTT最大导通时间( tAONPD (最大) )在点
当时的ODT电阻完全对。 tAONPD (分钟)和tAONPD (最大值)是由ODT的感测
采样为高。
最小RTT的关断时间( tAOFPD (分钟) )是在时间点时的设备的终端电路开始关闭
的ODT电阻。最大的ODT关断时间( tAOFPD (最大) )是在时间点的片上终端
已达到高阻抗状态。 tAOFPD (分钟)和tAOFPD (最大值)是由ODT被采样为低测量。
CK
/ CK
CKE
TIH
TIS
TIH
TIS
ODT
tAONPD (最大)
tAOFPD (分钟)
DRAM_RTT
tAONPD (分钟)
RTT
tAOFPD (最大)
异步ODT时序的DDR3 SDRAM使用ODT快速转型: AL被忽略
在预充电断电, ODT接收器保持活动状态,可以发出但没有读或写命令,作为
各自的地址/命令接收器可能会被禁用。
[异步ODT时序参数为所有的速度垃圾箱]
符号
tAONPD
tAOFPD
参数
分钟。
马克斯。
8.5
8.5
单位
ns
ns
异步RTT导通延迟(与DLL冷冻掉电) 2
RTT异步关断延迟(以DLL冷冻掉电) 2
[ ODT用于掉电(与DLL冷冻)进入和退出过渡期]
描述
ODT以RTT导通延迟
分钟。
分{ ODTLon
×
TCK + tAON (分钟) ;
tAONPD (分) }
分{ ( WL
2.0)
×
TCK +
tAON (分钟) ;
tAONPD (分) }
分{ ODTLoff
×
TCK + tAOF (分钟) ;
tAOFPD (分) }
分{ ( WL
2.0)
×
TCK
+ tAOF (分钟) ;
tAOFPD (分) }
WL
1.0
马克斯。
最大{ ODTLon
×
TCK + tAON (最大) ;
tAONPD (最大) }
最大{ ( WL
2.0)
×
TCK + tAON (最大) ;
tAONPD (最大) }
最大{ ODTLoff
×
TCK + tAOF (最大) ;
tAOFPD (最大) }
最大{ ( WL
2.0)
×
TCK + tAOF (最大) ;
tAOFPD (最大) }
ODT以RTT关断延迟
tANPD
初步数据表E1629E20 (版本2.0 )
138

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